30N06
1个N沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- N沟道
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- 30N06
- 商品编号
- C369599
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 55W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.562nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 66.8pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进技术制造。该技术使功率MOSFET具备更优异的特性，包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷，尤其是出色的雪崩特性。
商品特性
- 高耐用性
- 栅源电压为10 V时，漏源导通电阻低（典型值3.6 mΩ）
- 栅极电荷低（典型值132 nC）
- 改善的dv/dt能力
- 100%经过雪崩测试
应用领域
-同步整流-逆变器-锂电池保护板
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