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HX2300S
N沟道增强型MOSFET N沟道 耐压:20V 电流:5A
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- 描述
- HX2300S采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷和高密度单元设计，以达到超低导通电阻。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- HX(恒佳兴)
- 商品型号
- HX2300S
- 商品编号
- C2984969
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 240pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 45pF |
商品特性
- VDS = 20 V,ID = 5 A
- RDS(ON)(典型值) = 32 mΩ(VGS = 2.5 V时)
- RDS(ON)(典型值) = 26 mΩ(VGS = 4.5 V时)
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关