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HX3400S
耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- HX3400S采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和用于超低导通电阻的高密度单元设计。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- HX(恒佳兴)
- 商品型号
- HX3400S
- 商品编号
- C2984972
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.037克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 710mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 630pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 76pF |
商品概述
HX2302S采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和高密单元设计，以实现超低导通电阻。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- ΔVDS = 30 V,ID = 5.8 A
- RDS(ON)(典型值) = 30 mΩ(VGS = 2.5 V时)
- RDS(ON)(典型值) = 24 mΩ(VGS = 4.5 V时)
- 高功率和高电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关