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STP180N4F6
N沟道 耐压:40V 电流:120A
- 描述
- 该器件是采用 STripFET™ F6 技术开发的 N 沟道功率 MOSFET，具有新的沟槽栅结构。由此产生的功率 MOSFET 在所有封装中均表现出极低的导通电阻。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP180N4F6
- 商品编号
- C2984839
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.994克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 190W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.735nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 560pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 745pF |
商品特性
- 一个封装内集成 DTC114E 芯片和 DTA114E 芯片。
- 内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路（见内部电路）。
- 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，还具有完全消除寄生效应的优点。
- 操作时只需设置开/关状态，使电路设计简单。
- 无铅/符合 RoHS 标准。
应用领域
- 反相器电路-接口电路-驱动电路