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RU1C002UNTCL
1个N沟道 耐压:20V 电流:200mA
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- 描述
- 特性：低导通电阻。 低电压驱动（1.2V驱动）。应用：开关
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- RU1C002UNTCL
- 商品编号
- C2981603
- 商品封装
- SC-85
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4Ω@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 25pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 10pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±8V |
商品概述
MP9N20是采用先进MOSFET技术制造的硅N沟道增强型MOSFET，可降低传导损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管是适用于开关电源、高速开关及通用应用的理想器件。
商品特性
- 低导通电阻
- 低电压驱动(1.2V驱动)
应用领域
- 开关应用
- BU28JA2MNVX-CTL
- BU12JA2MNVX-CTL
- 2520-12-10-10-10/A
- 2520-12-12-10-10/A
- 2520-12-18-10-10/A
- 2520-12-20-10-10/A
- 2520-12-8-10-10/A
- 2520-16-10-10-10/A
- 2520-16-12-10-10/A
- 2520-16-8-10-10/A
- 2520-16-9-10-10/A
- 2520-24-10-10-10/A
- 2520-24-12-10-10/A
- 2520-24-18-10-10/A
- 2520-24-20-10-10/A
- 2520-24-9-10-10/A
- 2520-25-10-10-10/A
- 2520-25-12-10-10/A
- 2520-25-20-10-10/A
- 2520-25-8-10-10/A
- 2520-25-9-10-10/A