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IV1Q06040T3
IV1Q06040T3
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- 描述
- 碳化硅MOS650V40mΩ
- 品牌名称
- inventchip(瞻芯电子)
- 商品型号
- IV1Q06040T3
- 商品编号
- C2979248
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 72A | |
| 耗散功率(Pd) | 348W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 110.8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.692nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@20V |
商品特性
- 高压、低导通电阻
- 高速、寄生电容小
- 高工作结温
- 快速恢复体二极管
应用领域
- 电动汽车充电装置
- 服务器和通信电源
- 光伏逆变器
- UPS电源
- 高压DC/DC变换器
- 开关电源