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HYG030N03LQ1P
N沟道 耐压:30V 电流:100A
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- 描述
- 特性：30V/100A，RDS(ON) = 2.8mΩ (typ.)@VGS = 10V，RDS(ON) = 3.8mΩ (typ.)@VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 有符合RoHS标准的无铅和环保器件。应用：开关应用。 电池保护
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG030N03LQ1P
- 商品编号
- C2979264
- 商品封装
- TO-220FB-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.042克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 57.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.986nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 303pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 315pF |
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