温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PJL9418_R2_00001
1个N沟道 耐压:30V 电流:18A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：RDS(ON)，VGS@10V，ID@18A < 2.4mΩ。 RDS(ON)，VGS@4.5V，ID@9A < 3.3mΩ。 高开关速度。 改善的dv/dt能力。 低栅极电荷。 低反向传输电容。 符合欧盟RoHS2.0（2011/65/EU和2015/865/EU指令）的无铅产品。 符合IEC61249标准的绿色模塑料（无卤）
- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJL9418_R2_00001
- 商品编号
- C360761
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.305nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 310pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 当VGS为10 V、ID为18 A时，RDS(ON) < 2.4 mΩ
- 当VGS为4.5 V、ID为9 A时，RDS(ON) < 3.3 mΩ
- 高开关速度
- 改善的dv/dt能力
- 低栅极电荷
- 低反向传输电容
- 符合欧盟RoHS2.0（2011/65/EU和2015/865/EU指令）的无铅产品
- 符合IEC61249标准的绿色模塑料（无卤）