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PJE8402_R1_00001
1个N沟道 耐压:20V 电流:700mA
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- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJE8402_R1_00001
- 商品编号
- C360760
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 700mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 92pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 当VGS为4.5V、ID为0.7A时，RDS(ON) < 150mΩ
- 当VGS为2.5V、ID为0.5A时，RDS(ON) < 220mΩ
- 当VGS为1.8V、ID为0.2A时，RDS(ON) < 400mΩ
- 先进的沟槽工艺技术
- 专为开关负载、PWM应用等设计
- 静电放电保护2KV HBM
- 符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品
- 符合IEC 61249标准的环保模塑化合物