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W29N08GVSIAA
8Gbit 、3.3V NAND闪存
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- 品牌名称
- Winbond(华邦)
- 商品型号
- W29N08GVSIAA
- 商品编号
- C2962010
- 商品封装
- TSOPI-48
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.52克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 8Gbit | |
| 接口类型 | Parallel | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 写周期时间(Tw) | 25ns | |
| 页写入时间(Tpp) | 250us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 块擦除时间(tBE) | 2ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | 10年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 待机电流 | 20uA | |
| 擦写寿命 | 10万次 | |
| 功能特性 | 硬件写保护功能；读缓存功能；ECC纠错功能；软件复位功能；复制回写功能 |
- W25N02JWZEIF
- W25Q512JVFIQ
- W9751G6NB25I
- W25Q01JVSFIQ
- H5AN8G8NCJR-XNC
- HYCW68-2IN117-230B
- HYCW43-2IN117-183B
- HYCW30-3IN126-260B
- HYCW62-2IN116-270B
- HYCW231-SIM16-300B
- HYCW34-3IN120-250B
- HYCW37-3IN121-135B
- HYCW66-2IN118-358B
- HYCW65-2IN121-420B
- HYCW97-TF08-140B
- HYCW118-TF09-200B
- HYCW121-TF09-180B
- HYCW78-TF08-118B
- HYCW103-TF08-375B
- HYCW104-TF08-375B
- HYCW110-TF10-180B