W25N02JWZEIF
W25N02JWZEIF
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- 描述
- W25N02JW 2G-bit Serial SLC NAND Flash Memory 是一种低功耗、小封装的存储解决方案,适用于空间、引脚和功率受限的系统。该设备支持标准SPI、双SPI和四SPI接口,最高支持166MHz的时钟频率。
- 品牌名称
- Winbond(华邦)
- 商品型号
- W25N02JWZEIF
- 商品编号
- C2962014
- 商品封装
- WSON-8-EP(6x8)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 2Gbit | |
| 接口类型 | SPI | |
| 时钟频率(fc) | 166MHz | |
| 工作电压 | 1.7V~1.95V | |
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | 700us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 块擦除时间(tBE) | 2ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | 10年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 待机电流 | 20uA | |
| 擦写寿命 | 10万次 | |
| 功能特性 | 硬件复位功能;坏块管理功能;硬件写保护功能;OTP区域写保护与锁定功能;ECC纠错功能;软件复位功能;写使能锁存;软件写保护功能 | |
| ECC | 有 |
商品概述
W25N02JW 是一款 1.8V 供电的 2Gb 串行 SLC NAND 闪存存储器。它支持双路/四路 SPI 接口,最高时钟频率为 166MHz(单倍数据速率模式)和 80MHz(双倍数据速率模式)。该器件具备缓冲读取和连续读取功能,提供多种封装选项,包括 8 焊盘 WSON 8×6mm、16 引脚 SOIC 300mil 和 24 球 TFBGA 8×6mm。其架构包含 2048 个可擦除块,每个块包含 64 个可编程页,每页容量为 2048+64 字节。该闪存集成了 ECC 引擎,支持坏块管理功能,并具有写保护、保持、复位以及深度掉电等特性。其工作温度范围为 -40℃ ~ +85℃。
商品特性
- 2Gb SLC NAND 闪存,采用串行外设接口
- 单电源供电:1.7V ~ 1.95V
- 支持标准/双路/四路 SPI 接口
- 支持单倍数据速率和双倍数据速率传输
- 最高时钟频率:166MHz(单倍数据速率),80MHz(双倍数据速率)
- 每页容量:2048+64 字节
- 每块包含 64 页
- 总容量:2048 个可擦除块
- 支持页编程和块擦除操作
- 集成 ECC 引擎,支持内部数据完整性检查
- 内置坏块管理功能
- 提供写保护、保持和复位功能
- 支持深度掉电模式以降低功耗
- 工作温度范围:-40℃ ~ +85℃
- 提供多种封装:8 焊盘 WSON 8×6mm、16 引脚 SOIC 300mil、24 球 TFBGA 8×6mm
- H5AN8G8NCJR-XNC
- HYCW68-2IN117-230B
- HYCW43-2IN117-183B
- HYCW30-3IN126-260B
- HYCW62-2IN116-270B
- HYCW231-SIM16-300B
- HYCW34-3IN120-250B
- HYCW37-3IN121-135B
- HYCW66-2IN118-358B
- HYCW65-2IN121-420B
- HYCW97-TF08-140B
- HYCW118-TF09-200B
- HYCW121-TF09-180B
- HYCW78-TF08-118B
- HYCW103-TF08-375B
- HYCW104-TF08-375B
- HYCW110-TF10-180B
- HYCW13-TF09-205B
- HYCW19-TF09-205B
- HYCW267-SIM06-280B
- HYCW268-SIM06-280B


