商品概述

H5AN8G4NCJR-*xxC、H5AN8G8NCJR-*xxC、H5AN8G6NCJR-*xxC 是一款 8Gb CMOS 第四代双倍数据速率同步动态随机存取存储器，非常适用于需要大存储密度和高带宽的主存储器应用。该器件提供完全同步的操作，参考时钟的上升沿和下降沿。所有地址和控制输入在时钟 CK 的上升沿锁存，而数据、数据选通和写数据掩码输入则在时钟的上升沿和下降沿均被采样。数据路径采用内部流水线和 8 位预取设计，以实现极高的带宽。

商品特性

工作电压 VDD = VDDQ = 1.2V ± 0.06V
支持全差分时钟输入操作
支持差分数据选通
片内延迟锁定回路用于对齐数据、数据选通及其反相信号与时钟的转换
数据掩码在数据选通的上升沿和下降沿屏蔽写入数据
除数据、数据选通和数据掩码外，所有地址和控制输入均在时钟上升沿锁存
支持可编程列地址选通延迟
支持可编程附加延迟
支持可编程列地址选通写延迟
支持可编程突发长度
支持突发长度动态切换
包含 16 个存储体
支持平均刷新周期
采用符合 JEDEC 标准的封装
可通过模式寄存器选择驱动强度
支持动态片内终端匹配
支持通过片内终端匹配引脚切换两种终端状态
支持异步复位引脚
支持 ZQ 校准
支持终端数据选通
支持写入均衡
采用 8 位预取架构
产品符合 RoHS 指令
支持内部生成数据参考电压电平
支持在所有速度等级下进行写入循环冗余校验
支持最大省电模式
支持温度控制自动刷新模式
支持低功耗自动自刷新模式
支持细粒度刷新
支持按动态随机存取存储器寻址
支持降速模式
支持可编程读写前导码
支持自刷新中止
支持命令/地址奇偶校验模式
应用存储体分组，支持访问同一或不同存储体组时的列地址选通到列地址选通延迟
支持数据总线反转
产品由 8Gb 晶圆的一半构成
A15 地址引脚固定为低电平或高电平
仅支持 X8 模式
最小刷新时间参数值比标准 4Gb 晶圆更长

应用领域

主存储器应用

	属性	参数值
	商品目录	DDR SDRAM
	存储器构架(格式)	DDR4 SDRAM
	时钟频率(fc)	1.6GHz
	存储容量	8Gbit
	工作电压	1.14V~1.26V

	属性	参数值
	工作电流	39mA
	刷新电流	30mA
	工作温度	0℃~+85℃
	功能特性	写入均衡功能；自动自刷新；CRC功能；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；动态片上端接；数据掩码功能

H5AN8G8NCJR-XNC

商品参数

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商品特性

应用领域

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