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2N7002DW
2个N沟道 耐压:60V 电流:115mA
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- 描述
- 特性：高密度单元设计，实现低导通电阻。 电压控制小信号开关。 坚固可靠。 高饱和电流能力。应用：便携式设备负载开关。 DC/DC转换器
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- 2N7002DW
- 商品编号
- C2961242
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7Ω@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
-沟槽功率低压MOSFET技术-用于低漏源导通电阻的高密度单元设计-高速开关
商品特性
- 漏源电压 -30V
- 漏极电流 -5.5A
- 漏源导通电阻（栅源电压 = -10V时）< 47 mΩ
- 漏源导通电阻（栅源电压 = -4.5V时）< 64 mΩ
- 100% ∇VDS测试
应用领域
-电池保护-负载开关-电源管理
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