2SD879
NPN 电流:3A 电压:10V
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- 描述
- 特性:在使用两节镍镉电池提供2.4V的应用中,充电时间比锗晶体管快约1秒。 由于集电极-发射极电压VCE(sat) 较低,功耗更低,允许发出更多闪光。 小封装和大允许集电极耗散(TO-92,Pc = 750mW)。 大电流容量且高度耐击穿。 从低电流到高电流区域,hFE 具有出色的线性度
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- 2SD879
- 商品编号
- C2961248
- 商品封装
- TO-92
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.216克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 3A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 10V | |
| 耗散功率(Pd) | 750mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 140@3A,2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 200MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 1uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 400mV@3A,60mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V |
优惠活动
购买数量
(1000个/袋,最小起订量 10 个)个
起订量:10 个1000个/袋
总价金额:
¥ 0.00近期成交1单
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