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2SD879

NPN 电流:3A 电压:10V

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描述
特性:在使用两节镍镉电池提供2.4V的应用中,充电时间比锗晶体管快约1秒。 由于集电极-发射极电压VCE(sat) 较低,功耗更低,允许发出更多闪光。 小封装和大允许集电极耗散(TO-92,Pc = 750mW)。 大电流容量且高度耐击穿。 从低电流到高电流区域,hFE 具有出色的线性度
商品型号
2SD879
商品编号
C2961248
商品封装
TO-92​
包装方式
袋装
商品毛重
0.216克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录三极管(BJT)
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)3A
集射极击穿电压(Vceo)10V
耗散功率(Pd)750mW
直流电流增益(hFE)140@3A,2V
属性参数值
特征频率(fT)200MHz
集电极截止电流(Icbo)1uA
集射极饱和电压(VCE(sat))400mV@3A,60mA
工作温度-55℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)6V

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