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2N7002T-HAF实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

2N7002T-HAF

1个N沟道 耐压:60V 电流:115mA

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描述
特性:高密度单元设计,实现低RDS(ON)。 电压控制小信号开关。 坚固可靠。 高饱和电流能力。应用:便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器
商品型号
2N7002T-HAF
商品编号
C2961243
商品封装
SOT-523​
包装方式
编带
商品毛重
0.029克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)115mA
导通电阻(RDS(on))5Ω@10V
耗散功率(Pd)150mW
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)50pF
反向传输电容(Crss)5pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)25pF

商品概述

-沟槽功率低压MOSFET技术-出色的散热封装-高密度单元设计,实现低漏源导通电阻 (R_DS(ON))

商品特性

  • 100% 非钳位感性负载 (UIS) 测试
  • 100% 漏源电压变化 (∇VDS) 测试

应用领域

-大电流负载应用-负载开关-硬开关和高频电路-不间断电源

数据手册PDF