温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STB11NM80T4
1个N沟道 耐压:800V 电流:11A
- 描述
- 这些N沟道功率MOSFET采用创新的MDmesh™技术开发，该技术将多漏极工艺与PowerMESH™横向布局相结合。这些器件具有极低的导通电阻、高dv/dt和出色的雪崩特性。采用专利条形技术，这些功率MOSFET的整体动态性能优于市场上的同类产品
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB11NM80T4
- 商品编号
- C2961007
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.72克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 43.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.63nF | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些N沟道功率MOSFET采用突破性的MDmesh技术开发，该技术将多漏极工艺与横向布局相结合。这些器件具有极低的导通电阻、高dv/dt和出色的雪崩特性。采用专利条形技术，这些功率MOSFET的整体动态性能优于市场上的同类产品。
商品特性
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
- 业内最佳的RDS(on) *Qg
应用领域
- 开关应用