温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STB11NM60T4
1个N沟道 耐压:650V 电流:11A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 这些器件是采用第二代 MDmesh 技术开发的 N 沟道功率 MOSFET。这些创新的功率 MOSFET 将垂直结构与公司的条形布局相结合，以实现极低的导通电阻和栅极电荷。因此，它们适用于要求最苛刻的高效转换器。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB11NM60T4
- 商品编号
- C2961009
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.72克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 160W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 230pF |
商品概述
这些高压器件是采用 SuperMESH™ 技术开发的齐纳保护型 N 沟道功率 MOSFET，该技术是对成熟的 PowerMESH™ 技术的优化。除了显著降低导通电阻外，这些器件还旨在为最严苛的应用确保高水平的 dv/dt 能力。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
应用领域
- 开关应用
相似推荐
其他推荐