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BSS123NH6433XTMA1
1个N沟道 耐压:100V 电流:0.19A
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- 描述
- 特性：N沟道增强模式。 逻辑电平（额定4.5V）。 雪崩额定。 符合AEC Q101标准。 100%无铅；符合RoHS标准，无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSS123NH6433XTMA1
- 商品编号
- C2959814
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 190mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@13uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 900pC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 20.9pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 4.5pF |
商品特性
- 先进沟槽技术
- 出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷
- 获得无铅产品认证
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口开关
- 逻辑电平转换