CY7C199-25VIT
CY7C199-25VIT
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- 商品型号
- CY7C199-25VIT
- 商品编号
- C2959589
- 商品封装
- BSOJ-28
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 256Kbit | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 读写时间 | 25ns | |
| 工作电流 | 170mA | |
| 待机电流 | 35mA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY7C198和CY7C199是高性能CMOS静态RAM,组织为32,768字×8位。通过低电平有效的芯片使能(CE)和输出使能(OE)以及三态驱动器,提供简便的存储器扩展。两款器件都具有自动断电功能,在取消选择时功耗降低77%。CY7C199采用节省空间的300密耳宽DIP封装和无引线芯片载体。CY7C198采用标准600密耳宽封装。低电平有效的写使能信号(WE)控制存储器的写/读操作。当CE和WE输入均为低电平时,八个数据输入/输出引脚(I/O0至I/O7)上的数据被写入由地址引脚(A0至A14)上的地址指定的存储位置。读取器件通过选择器件并使能输出完成,CE和OE为低电平有效,而WE保持无效或高电平。在此条件下,由地址引脚信息指定的位置内容出现在八个数据输入/输出引脚上。输入/输出引脚保持高阻抗状态,除非芯片被选择、输出被使能且写使能(WE)为高电平。采用芯片涂层确保抗α粒子干扰。
商品特性
- 取消选择时自动断电
- CMOS技术实现速度与功耗优化
- 高速25 ns
- 低工作功耗825 mW
- 低待机功耗193 mW
- TTL兼容输入和输出
- 能够承受大于2001V的静电放电

