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CY7C199-25VIT引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CY7C199-25VIT

CY7C199-25VIT

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商品型号
CY7C199-25VIT
商品编号
C2959589
商品封装
BSOJ-28​
包装方式
管装
商品毛重
2.36克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量256Kbit
工作电压4.5V~5.5V
属性参数值
读写时间25ns
工作电流170mA
待机电流35mA
功能特性自动掉电功能

商品概述

CY7C198和CY7C199是高性能CMOS静态RAM,组织为32,768字×8位。通过低电平有效的芯片使能(CE)和输出使能(OE)以及三态驱动器,提供简便的存储器扩展。两款器件都具有自动断电功能,在取消选择时功耗降低77%。CY7C199采用节省空间的300密耳宽DIP封装和无引线芯片载体。CY7C198采用标准600密耳宽封装。低电平有效的写使能信号(WE)控制存储器的写/读操作。当CE和WE输入均为低电平时,八个数据输入/输出引脚(I/O0至I/O7)上的数据被写入由地址引脚(A0至A14)上的地址指定的存储位置。读取器件通过选择器件并使能输出完成,CE和OE为低电平有效,而WE保持无效或高电平。在此条件下,由地址引脚信息指定的位置内容出现在八个数据输入/输出引脚上。输入/输出引脚保持高阻抗状态,除非芯片被选择、输出被使能且写使能(WE)为高电平。采用芯片涂层确保抗α粒子干扰。

商品特性

  • 取消选择时自动断电
  • CMOS技术实现速度与功耗优化
  • 高速25 ns
  • 低工作功耗825 mW
  • 低待机功耗193 mW
  • TTL兼容输入和输出
  • 能够承受大于2001V的静电放电

数据手册PDF