- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CY7C199-25VI
CY7C199-25VI
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- 商品型号
- CY7C199-25VI
- 商品编号
- C2959590
- 商品封装
- BSOJ-28
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY7C199是一款高性能CMOS静态随机存取存储器，组织形式为32768字×8位。通过低电平有效的芯片使能（CE）、低电平有效的输出使能（OE）和三态驱动器，可轻松进行内存扩展。该器件具有自动掉电功能，在未选中时可将功耗降低81%。CY7C199采用标准的300密耳宽DIP、SOJ和LCC封装。低电平有效的写使能信号（WE）控制存储器的读写操作。当CE和WE输入均为低电平时，八个数据输入/输出引脚（I/O₀至I/O₇）上的数据将被写入由地址引脚（A₀至A₁₄）上的地址所指定的存储位置。读取器件时，选中器件并使能输出，CE和OE为低电平，而WE保持无效或高电平。在这些条件下，地址引脚上信息所指定位置的内容将出现在八个数据输入/输出引脚上。除非芯片被选中、输出被使能且写使能（WE）为高电平，否则输入/输出引脚将保持高阻态。采用芯片涂层以提高抗α粒子能力。
商品特性
- 高速 -10 ns
- 快速 t_DOE
- 低活动功率：467 mW（最大，12 ns “L” 版本）
- 低待机功率：0.275 mW（最大，“L” 版本）
- 2V 数据保持（仅“L”版本）
- 易于使用 CE 和 OE 功能进行存储器扩展
- TTL 兼容输入和输出
- 取消选择时自动断电