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S25FL256SAGMFVR01引脚图
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  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

S25FL256SAGMFVR01

S25FL256SAGMFVR01

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商品型号
S25FL256SAGMFVR01
商品编号
C2957620
商品封装
SOIC-16​
包装方式
管装
商品毛重
2.121067克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录NOR FLASH
接口类型SPI
存储容量256Mbit
工作电压2.7V~3.6V
待机电流70uA
擦写寿命100000次
属性参数值
页写入时间(Tpp)250us
块擦除时间(tBE)520ms@(256KB)
数据保留 - TDR(年)20年
工作温度-40℃~+105℃
功能特性硬件写保护;写使能锁存;ECC纠错;软件写保护;上电复位

商品特性

  • CMOS 3.0 V内核,支持多功能I/O
  • 串行外设接口,支持多I/O
  • SPI时钟极性和相位模式0与3
  • 支持DDR选项
  • 扩展寻址:24位或32位地址选项
  • 串行命令集和封装与S25FL-A、S25FL-K和S25FL-P SPI系列兼容
  • 多I/O命令集和封装与S25FL-P SPI系列兼容
  • 读取命令:支持常规、快速、双线、四线、快速DDR、双线DDR、四线DDR模式
  • 自动引导:上电或复位后,在预选地址自动执行常规或四线读取命令
  • 提供通用闪存接口数据,用于配置信息
  • 编程速度达1.5 MBps:提供256字节或512字节页编程缓冲区选项;支持四线输入页编程,适用于低速时钟系统;内置自动ECC硬件,可生成错误校正码,实现单比特错误校正
  • 擦除速度达0.5至0.65 MBps:提供混合扇区大小选项,地址空间顶部或底部包含32个4 KB物理扇区,其余均为64 KB扇区,以兼容前代S25FL器件;提供统一扇区选项,始终擦除256 KB块,以确保与更高密度及未来器件的软件兼容性
  • 擦写循环耐久性:最小100,000次编程-擦除循环
  • 数据保持:最小20年
  • 安全特性:提供1024字节一次性可编程阵列;支持块保护:状态寄存器位可控制对连续扇区范围的编程或擦除保护;提供硬件和软件控制选项;支持高级扇区保护;支持通过引导代码或密码控制单个扇区保护
  • 采用65纳米MIRRORBIT技术及Eclipse架构
  • 内核电源电压:2.7 V至3.6 V
  • I/O电源电压:1.65 V至3.6 V
  • 提供SO16和FBGA封装
  • 温度范围/等级:工业级(-40℃至+85℃);工业增强级(-40℃至+105℃);汽车级AEC-Q100 3级(-40℃至+85℃);汽车级AEC-Q100 2级(-40℃至+105℃);汽车级AEC-Q100 1级(-40℃至+125℃)
  • 封装(均无铅):16引脚SOIC(10.30×7.50×2.65 mm)(300 mil);8引脚DFN(6.0×8.0×0.8 mm)(WSON);24焊球FBGA(8.0×6.0×1.2 mm);提供5×5焊球和4×6焊球两种焊盘布局选项;提供已知良好裸片和已知测试裸片

数据手册PDF