S25FL256SAGMFVR01
S25FL256SAGMFVR01
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- 商品型号
- S25FL256SAGMFVR01
- 商品编号
- C2957620
- 商品封装
- SOIC-16
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.121067克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 256Mbit | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | 70uA | |
| 擦写寿命 | 100000次 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 页写入时间(Tpp) | 250us | |
| 块擦除时间(tBE) | 520ms@(256KB) | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护;写使能锁存;ECC纠错;软件写保护;上电复位 |
商品特性
- CMOS 3.0 V内核,支持多功能I/O
- 串行外设接口,支持多I/O
- SPI时钟极性和相位模式0与3
- 支持DDR选项
- 扩展寻址:24位或32位地址选项
- 串行命令集和封装与S25FL-A、S25FL-K和S25FL-P SPI系列兼容
- 多I/O命令集和封装与S25FL-P SPI系列兼容
- 读取命令:支持常规、快速、双线、四线、快速DDR、双线DDR、四线DDR模式
- 自动引导:上电或复位后,在预选地址自动执行常规或四线读取命令
- 提供通用闪存接口数据,用于配置信息
- 编程速度达1.5 MBps:提供256字节或512字节页编程缓冲区选项;支持四线输入页编程,适用于低速时钟系统;内置自动ECC硬件,可生成错误校正码,实现单比特错误校正
- 擦除速度达0.5至0.65 MBps:提供混合扇区大小选项,地址空间顶部或底部包含32个4 KB物理扇区,其余均为64 KB扇区,以兼容前代S25FL器件;提供统一扇区选项,始终擦除256 KB块,以确保与更高密度及未来器件的软件兼容性
- 擦写循环耐久性:最小100,000次编程-擦除循环
- 数据保持:最小20年
- 安全特性:提供1024字节一次性可编程阵列;支持块保护:状态寄存器位可控制对连续扇区范围的编程或擦除保护;提供硬件和软件控制选项;支持高级扇区保护;支持通过引导代码或密码控制单个扇区保护
- 采用65纳米MIRRORBIT技术及Eclipse架构
- 内核电源电压:2.7 V至3.6 V
- I/O电源电压:1.65 V至3.6 V
- 提供SO16和FBGA封装
- 温度范围/等级:工业级(-40℃至+85℃);工业增强级(-40℃至+105℃);汽车级AEC-Q100 3级(-40℃至+85℃);汽车级AEC-Q100 2级(-40℃至+105℃);汽车级AEC-Q100 1级(-40℃至+125℃)
- 封装(均无铅):16引脚SOIC(10.30×7.50×2.65 mm)(300 mil);8引脚DFN(6.0×8.0×0.8 mm)(WSON);24焊球FBGA(8.0×6.0×1.2 mm);提供5×5焊球和4×6焊球两种焊盘布局选项;提供已知良好裸片和已知测试裸片
- S25FL128SAGMFM001
- S29JL032H70TFI220
- S70FS01GSAGMFV011
- S25FL132K0XNFV041
- S99WS128P0010
- S99-50481
- S79FL512SDSMFVG00
- S79FL256SDSMFBG00
- S79FL01GSDSBHBC10
- S70GL02GT12FHBV20
- S70GL02GT11FHV010
- S70GL02GT11FHB020
- S70GL02GT11FHB010
- S70GL02GS12FHVV20
- S70GL02GS12FHBV20
- S70GL02GS12FHB020
- S70GL02GS12FHB010
- S70GL02GS11FHV020
- S70GL02GS11FHSS60
- S70GL02GS11FHSS50
- S70GL02GS11FHA010

