S29JL032H70TFI220
S29JL032H70TFI220
- 商品型号
- S29JL032H70TFI220
- 商品编号
- C2957904
- 商品封装
- TSOP-48
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 存储容量 | 32Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 5MHz | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | 200nA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 擦写寿命 | 1000000次 | |
| 写周期时间(Tw) | 70ns | |
| 块擦除时间(tBE) | 400ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 功能特性 | 硬件写保护;绝对写保护;上电复位 |
商品特性
- 读写操作可同时进行:在一个存储体执行擦除/编程功能时,可从另一个存储体连续读取数据;读写操作之间零延迟。
- 多存储体架构:有四种存储体架构可供选择(参考第16页的表8.2)。
- 引导扇区:同一设备中具有顶部和底部引导扇区;任何扇区组合都可以擦除。
- 采用0.13μm工艺技术制造。
- 安全硅扇区:额外的256字节扇区;客户可锁定,仅一次性可编程,一旦锁定,数据无法更改。
- 零功耗操作:先进的电源管理电路可将非活动期间的功耗降至接近零。
- 与JEDEC标准兼容:引脚排列和软件与单电源闪存标准兼容。
- 高性能:访问时间最快可达60ns;使用加速编程功能时,典型编程时间为4μs/字。
- 超低功耗(典型值):1MHz时,活动读取电流为2mA;5MHz时,活动读取电流为10mA;待机或自动睡眠模式下为200nA。
- 循环耐久性:每个扇区典型循环次数为100万次。
- 数据保留时间:典型值为20年。
- 支持通用闪存接口(CFI)。
- 擦除暂停/擦除恢复:暂停擦除操作,以便从非擦除扇区读取数据或向其编程数据,然后恢复擦除操作。
- 数据#轮询和切换位:提供一种软件方法来检测编程状态。
- S70FS01GSAGMFV011
- S25FL132K0XNFV041
- S99WS128P0010
- S99-50481
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- S70GL02GT11FHB020
- S70GL02GT11FHB010
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- S70GL02GS12FHBV20
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- S70GL02GS12FHB010
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- S70GL02GS11FHA010
- S70FS01GSDSMFI010
- S70FS01GSDSBHV210

