CY7C1219F-133AC
CY7C1219F-133AC
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- 商品型号
- CY7C1219F-133AC
- 商品编号
- C2955708
- 商品封装
- LQFP-100(14x20)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 1Mbit | |
| 工作电压 | 3.135V~3.6V | |
| 读写时间 | 4ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 工作电流 | 225mA | |
| 待机电流 | 40mA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY7C1219F SRAM集成了32,768 x 36 SRAM单元、先进的同步外围电路和用于内部突发操作的两位计数器。所有同步输入由正边沿触发的时钟输入(CLK)控制的寄存器选通。同步输入包括所有地址、所有数据输入、地址流水线片选(CE1上划线)、深度扩展片选(CE2和CE3上划线)、突发控制输入(ADSC、ADSP和ADV)、写使能(BW[A:D]上划线和BWE)以及全局写(GW)。异步输入包括输出使能(OE)和ZZ引脚。地址和片选在地址选通处理器(ADSP)或地址选通控制器(ADSC)激活时在时钟上升沿寄存。后续的突发地址可由前进引脚(ADV)控制在内部生成。地址、数据输入和写控制在片上寄存以启动自定时写周期。该器件支持字节写操作。写周期的宽度可由字节写控制输入控制为1到4个字节。GW为低电平时会写入所有字节。该器件包含一个额外的流水线使能寄存器,在执行取消选择操作时会将输出缓冲器关闭延迟一个周期,此功能允许进行深度扩展而不影响系统性能。CY7C1219F采用+3.3V核心电源供电,所有输出采用+3.3V电源。所有输入和输出都符合JEDEC标准JESD8 - 5。
商品特性
- 用于流水线操作的寄存输入和输出
- 无等待状态的深度扩展
- 32K × 36位通用I/O架构
- 3.3V -5% 和 +10% 核心电源供应(VDD),3.3V I/O 供应(VDDQ)
- 快速时钟到输出时间:3.5 ns(适用于166-MHz器件),4.0 ns(适用于133-MHz器件)
- 提供高性能的3-1-1访问速率
- 用户可选的突发计数器,支持交错或线性突发序列
- 独立的处理器和控制器地址选通
- 同步自定时写入
- 异步输出使能
- JEDEC标准的100引脚TQFP封装和引脚排列
- “ZZ”睡眠模式选项
应用领域
- 系统二级缓存
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