CY7C1298F-133AC
CY7C1298F-133AC
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- 商品型号
- CY7C1298F-133AC
- 商品编号
- C2955687
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 1Mbit | |
| 读写时间 | 4ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 工作电流 | 225mA | |
| 待机电流 | 40mA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY7C1298F SRAM集成了65,536x18 SRAM单元,具有先进的同步外围电路和用于内部突发操作的两位计数器。所有同步输入都通过由正边沿触发的时钟输入(CLK)控制的寄存器门控。同步输入包括所有地址、所有数据输入、地址流水线芯片使能(CE1,低电平有效)、深度扩展芯片使能(CE2和CE3,低电平有效)、突发控制输入(ADSC、ADSP和ADV,低电平有效)、写入使能(BW[A:B]和BWE,低电平有效)以及全局写入(GW,低电平有效)。异步输入包括输出使能(OE,低电平有效)和ZZ引脚。当处理器地址选通(ADSP)或控制器地址选通(ADSC)有效时,地址和芯片使能在时钟上升沿被寄存。随后的突发地址可以由前进引脚(ADV)控制内部生成。地址、数据输入和写入控制被寄存到芯片上,以启动自定时写入周期。该部件支持字节写入操作。写入周期可以是一到两个字节宽,由字节写入控制输入控制。GW低电平有效时,所有字节都被写入。该器件包含一个额外的流水线使能寄存器,在执行取消选择时,延迟关闭输出缓冲区一个额外周期。此功能允许深度扩展而不影响系统性能。CY7C1298F使用+3.3V核心电源供电,而所有输出使用+3.3V电源供电。所有输入和输出符合JEDEC标准JESD8-5。
商品特性
- 用于流水线操作的寄存输入和输出
- 64K × 18位通用I/O架构
- 3.3V -5% 和 +10% 核心电源供应 (VDD),3.3V I/O 电源供应 (VDDQ)
- 快速时钟到输出时间 — 3.5ns(适用于166-MHz器件)— 4.0ns(适用于133-MHz器件)
- 提供高性能3-1-1访问速率
- 用户可选的突发计数器,支持交错或线性突发序列
- 独立的处理器和控制器地址选通
- 同步自定时写入
- 异步输出使能
- JEDEC标准100引脚TQFP封装和引脚排列
- “ZZ”睡眠模式选项
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