CY7C1363A-133AC

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品牌名称: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
商品型号: CY7C1363A-133AC
商品编号: C2955362
商品封装: LQFP-100(14x20)
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

赛普拉斯同步突发静态随机存取存储器（SRAM）系列采用高速、低功耗CMOS设计，运用先进的三层多晶硅、双层金属技术。每个存储单元由四个晶体管和两个高值电阻组成。GVT71256B36/CY7C1361A和GVT71512B18/CY7C1363A SRAM集成了262,144x36和524,288x18 SRAM单元以及先进的同步外围电路和一个用于内部突发操作的2位计数器。所有同步输入由正边沿触发的时钟输入（CLK）控制的寄存器选通。同步输入包括所有地址、所有数据输入、地址流水线片选（CE）、深度扩展片选（CE₂）、突发控制输入（ADSC、ADSP和ADV）、写使能（BWa、BWb、BWc、BWd和BWE）和全局写（GW）。异步输入包括输出使能（OE）和突发模式控制（MODE）。数据输出（Q）由OE使能，也是异步的。地址和片选通过地址状态处理器（ADSP）或地址状态控制器（ADSC）输入引脚进行寄存。后续突发地址可由突发推进引脚（ADV）控制在内部生成。地址、数据输入和写控制在片上寄存以启动自定时写周期。写周期的宽度可由写控制输入控制为1到4字节。对于B(GVTI)/BG(CY)和T(GVTI)/AJ(CY)封装版本，使用四个引脚实现JTAG测试功能。GVT71256B36和GVT71512B18由+3.3V电源供电，所有输入和输出与LVTTL兼容。

商品特性

快速访问时间：6.0、6.5、7.0和8.0 ns
快速时钟速度：150、133、117和100 MHz
1 ns建立时间和保持时间
快速OE访问时间：3.5 ns和4.0 ns
3.3V -5%和+10%电源
3.3V或2.5V I/O电源
除I/O外5V容限输入
所有输入和输出到VSS的钳位二极管
公共数据输入和数据输出
字节写使能和全局写控制
用于深度扩展的多个片选：TA(GVTI)/A(CY)封装版本有三个片选，B(GVTI)/BG(CY)和T(GVTI)/AJ(CY)封装版本有两个片选
地址流水线能力
地址、数据和控制寄存器
内部自定时写周期
突发控制引脚（交错或线性突发序列）
便携式应用的自动掉电功能
B和T封装版本的JTAG边界扫描
薄型119凸点、14 mm x 22 mm PBGA（球栅阵列）和100引脚TQFP封装

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	9Mbit
	工作电压	3.135V~3.63V
	读写时间	6.5ns

	属性	参数值
	工作温度	0℃~+70℃
	工作电流	360mA
	待机电流	10mA
	功能特性	自动掉电功能；边界扫描(JTAG)功能