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CY7C1362C-166BZC引脚图
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  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CY7C1362C-166BZC

CY7C1362C-166BZC

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商品型号
CY7C1362C-166BZC
商品编号
C2955374
商品封装
FBGA-165(13x15)​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量9Mbit
工作电压3.135V~3.6V
读写时间3.5ns
属性参数值
工作温度0℃~+70℃
工作电流180mA
待机电流40mA
功能特性边界扫描(JTAG)功能

商品概述

CY7C1360C/CY7C1362C SRAM集成了256K x 36和512K x 18 SRAM单元,带有先进的同步外围电路和用于内部突发操作的两位计数器。所有同步输入由正边沿触发的时钟输入(CLK)控制的寄存器选通。同步输入包括所有地址、所有数据输入、地址流水线片选(CE1上划线)、深度扩展片选(CE2和CE3上划线)、突发控制输入(ADSC、ADSP和ADV)、写使能(BWX上划线和BWE)和全局写(GW)。异步输入包括输出使能(OE)和ZZ引脚。地址和片选在地址选通处理器(ADSP)或地址选通控制器(ADSC)激活时在时钟上升沿寄存。后续突发地址可由前进引脚(ADV)控制在内部生成。地址、数据输入和写控制在片上寄存以启动自定时写周期。该器件支持字节写操作。写周期可由字节写控制输入控制为1到2或4字节宽。当GW为低电平时,所有字节都会被写入。CY7C1360C/CY7C1362C由+3.3V核心电源供电,而所有输出可由+2.5V或+3.3V电源供电。所有输入和输出都符合JEDEC标准JESD8 - 5。

商品特性

  • 支持高达250兆赫的总线操作
  • 提供250、200和166兆赫的速度等级
  • 用于流水线操作的寄存输入和输出
  • 3.3伏特核心电源供应
  • 2.5伏特或3.3伏特输入输出操作
  • 快速的时钟到输出时间,对于250兆赫器件为2.8纳秒
  • 提供高性能的3-1-1-1访问速率
  • 用户可选的突发计数器支持交错或线性突发序列
  • 独立的处理器和控制器地址选通
  • 同步自定时写入
  • 异步输出使能
  • 单周期芯片取消选择
  • 提供无引线100引脚TQFP封装、无引线及有引线119球BGA封装和165球FBGA封装
  • TQFP封装提供3芯片使能和2芯片使能选项
  • 兼容IEEE 1149.1 JTAG边界扫描

应用领域

  • 用于需要高速同步操作的系统中
  • 支持线性或交错突发序列,适用于不同处理器
  • 通过字节写入和全局写入控制实现灵活的数据写入
  • 多个芯片使能和输出使能便于存储体选择和输出控制

数据手册PDF