CY7C1383BV25-100BGC

赛普拉斯同步突发SRAM系列采用高速、低功耗CMOS设计，运用先进的单层多晶硅、三层金属技术。每个存储单元由六个晶体管组成。CY7C1381BV25和CY7C1383BV25 SRAM集成了524288×36和1048576×18的SRAM单元，带有先进的同步外围电路和用于内部突发操作的两位计数器。所有同步输入由正边沿触发的时钟输入（CLK）控制的寄存器选通。同步输入包括所有地址、所有数据输入、地址流水线片选（CE）、突发控制输入（ADSC、ADSP和ADV）、写使能（BWa、BWb、BWc、BWd和BWe）和全局写（GW）。异步输入包括输出使能（OE）和突发模式控制（MODE）。由OE使能的数据输出（Q）也是异步的。地址和片选通过地址状态处理器（ADSP）或地址状态控制器（ADSC）输入引脚进行寄存。后续突发地址可由突发推进引脚（ADV）控制在内部生成。地址、数据输入和写控制在片上寄存以启动自定时写周期。写周期可由写控制输入控制为1到4字节宽。单个字节写允许写入单个字节。BWa控制DQ1 - DQ8和DP1，BWb控制DQ9 - DQ16和DP2，BWc控制DQ17 - DQ24和DP3，BWd控制DQ25 - DQ32和DP4。BWa、BWb、BWc和BWd仅在BWe为低电平时有效。GW为低电平时会写入所有字节。写直通功能允许写入的数据在下一个读周期立即可用于输出。该器件还集成了流水线使能电路，便于深度扩展而不影响系统性能。CY7C1381BV25和CY7C1383BV25的所有输入和输出都与JEDEC标准JESD8 - 5兼容。

• 快速访问时间：7.5、8.5、10 ns
• 快速时钟速度：117、100、83 MHz
• 提供高性能2 - 1 - 1访问速率
• 非常适合深度扩展
• 2.5V ± 5%电源
• 公共数据输入和数据输出
• 字节写使能和全局写控制
• 用于地址流水线的片选
• 地址、数据和控制寄存器
• 内部自定时写周期
• 突发控制引脚（交错或线性突发序列）
• 可使用ZZ模式或CE取消选择实现自动掉电
• 高密度、高速封装
• BGA封装版本支持JTAG边界扫描