CY7C1386C-167AI
CY7C1386C-167AI
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- 商品型号
- CY7C1386C-167AI
- 商品编号
- C2955225
- 商品封装
- LQFP-100(14x20)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 18Mbit | |
| 工作电压 | 3.135V~3.6V | |
| 读写时间 | 3.4ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 275mA | |
| 待机电流 | 70mA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能;边界扫描(JTAG)功能 |
商品概述
CY7C1386C/CY7C1387C SRAM集成了524288 x 36和1048576 x 18 SRAM单元,具备先进的同步外围电路和用于内部突发操作的两位计数器。所有同步输入由正边沿触发的时钟输入(CLK)控制的寄存器选通。同步输入包括所有地址、所有数据输入、地址流水线片选(CE1上划线)、深度扩展片选(CE2和CE3上划线)、突发控制输入(ADSC、ADSP和ADV)、写使能(BWx上划线和BWE)和全局写(GW)。异步输入包括输出使能(OE)和ZZ引脚。地址和片选在地址选通处理器(ADSP)或地址选通控制器(ADSC)激活时,在时钟上升沿被寄存。后续突发地址可由前进引脚(ADV)控制在内部生成。地址、数据输入和写控制在片上寄存以启动自定时写周期。该器件支持字节写操作。写周期宽度可由字节写控制输入控制为1到4字节。GW为低电平时,所有字节都会被写入。该器件包含一个额外的流水线使能寄存器,在执行取消选择时,会将输出缓冲器关闭延迟一个额外周期。CY7C1386C/CY7C1387C采用+3.3V核心电源供电,所有输出采用+3.3V或+2.5V电源供电。所有输入和输出都符合JEDEC标准JESD8 - 5。
商品特性
- 支持高达250 MHz的总线操作
- 可用的速度等级为250、225、200和167 MHz
- 为流水线操作提供寄存器输入和输出
- 性能优化(双周期取消选择)
- 无等待状态的深度扩展
- 3.3V ±5%和+10%的核心电源(VDD)
- 2.5V / 3.3V I/O操作
- 快速的时钟到输出时间:250 MHz器件为2.6 ns;225 MHz器件为2.8 ns;200 MHz器件为3.0 ns;167 MHz器件为3.4 ns
- 提供高性能的3 - 1 - 1访问速率
- 用户可选择的突发计数器,支持英特尔奔腾交错或线性突发序列
- 独立的处理器和控制器地址选通
- 同步自定时写操作
- 异步输出使能
- 提供JEDEC标准的100引脚TQFP、119球BGA和165球fBGA封装
- 符合IEEE 1149.1 JTAG边界扫描标准
- “ZZ”睡眠模式选项
应用领域
- 系统二级缓存
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