CY7C421-30PC

CY7C419、CY7C420/1、CY7C424/5、CY7C428/9和CY7C432/3是先进先出（FIFO）存储器，有600密耳宽和300密耳宽的封装。它们分别有256、512、1024、2048和4096个字，每个字9位宽。每个FIFO存储器的组织方式使得数据按写入的顺序读取。提供满和空标志以防止溢出和欠载。还提供了三个额外的引脚，便于在宽度、深度或两者上进行无限扩展。深度扩展技术可将控制信号从一个设备并行导向另一个设备，消除了传播延迟的串行累加，因此不会降低吞吐量。数据的导向方式类似。读写操作可以是异步的，每个操作的速率可达50MHz。写入操作在写信号（W上划线）为低电平时发生，读取操作在读信号（R上划线）为低电平时发生。当R上划线为高电平时，九个数据输出进入高阻态。提供了一个半满（HF）输出标志，在独立和宽度扩展配置中有效。在深度扩展配置中，该引脚提供扩展输出（XO）信息，用于告知下一个FIFO它已被激活。在独立和宽度扩展配置中，重传（RT）输入为低电平会使FIFO重传数据。重传期间，读使能（R）和写使能（W）必须都为高电平，然后使用R来访问数据。CY7C419、CY7C420、CY7C421、CY7C424、CY7C425、CY7C428、CY7C429、CY7C432和CY7C433采用先进的0.65微米P阱CMOS技术制造。输入ESD保护大于2000V，通过精心布局和保护环防止闩锁。

• 异步先进先出（FIFO）缓冲存储器
  • 256 x 9（CY7C419）
  • 512 x 9（CY7C421）
  • 1K x 9（CY7C425）
  • 2K x 9（CY7C429）
  • 4K x 9（CY7C433）
• 双端口RAM单元
• 高速50MHz读写，与深度和宽度无关
• 低工作功耗：ICC = 35mA
• 空和满标志（独立模式下有半满标志）
• TTL兼容
• 独立模式下可重传
• 宽度可扩展
• 提供PLCC、7x7 TQFP、SOJ、300密耳和600密耳DIP封装
• 提供无铅封装
• 引脚与IDT7200、IDT7201、IDT7202、IDT7203、IDT7204、AM7200、AM7201、AM7202、AM7203和AM7204兼容且功能等效