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CY7C4291V-15JC实物图
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CY7C4291V-15JC

CY7C4291V-15JC

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商品型号
CY7C4291V-15JC
商品编号
C2954701
商品封装
LCC-32​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录FIFO存储器
属性参数值
功能特性输出使能

商品概述

CY7C4261/71/81/91V 是高速、低功耗的 FIFO 存储器,具备时钟控制的读写接口,数据位宽均为 9 位。它们与 CY7C42x1V 同步 FIFO 系列引脚兼容,可编程特性包括近乎满/近乎空标志。这些 FIFO 能满足各种数据缓冲需求,如高速数据采集、多处理器接口和通信缓冲。

这些 FIFO 拥有 9 位输入和输出端口,分别由独立的时钟和使能信号控制。输入端口由自由运行时钟(WCLK)和两个写使能引脚(WEN1、WEN2/LD)控制。当 WEN1 为低电平且 WEN2/LD 为高电平时,数据在 WCLK 信号的上升沿写入 FIFO。在 WEN1 和 WEN2/LD 保持有效期间,数据在每个 WCLK 周期持续写入 FIFO。输出端口以类似方式由自由运行的读时钟(RCLK)和两个读使能引脚(REN1、REN2)控制。此外,CY7C4261/71/81/91V 还有一个输出使能引脚(OE)。读(RCLK)和写(WCLK)时钟可以连接在一起实现单时钟操作,也可以独立运行以用于异步读写应用,时钟频率最高可达 100 MHz。通过使用一个使能输入进行系统控制,另一个使能由扩展逻辑控制以引导数据流,可实现深度扩展。

CY7C4261/71/81/91V 提供四个状态引脚:空、满、可编程近乎空和可编程近乎满。近乎空/近乎满标志可编程至单字粒度,可编程标志默认设置为空 +7 和满 -7。这些标志是同步的,即它们相对于读时钟(RCLK)或写时钟(WCLK)改变状态。进入或退出空和近乎空状态时,标志仅由 RCLK 更新;表示近乎满和满状态的标志仅由 WCLK 更新。同步标志架构确保标志至少在一个周期内保持其状态。

所有配置均采用先进的 0.35μm CMOS 技术制造。输入 ESD 保护大于 2001V,通过使用保护环防止闩锁。

CY7C4261/71/81/91V 由一个 16K、32K、64K 或 128K 字的 9 位字数组(由 SRAM 单元的双端口数组实现)、一个读指针、一个写指针、控制信号(RCLK、WCLK、REN1、REN2、WEN1、WEN2、RS)和标志(EF、PAE、PAF、FF)组成。

上电时,FIFO 必须通过复位(RS)周期进行复位,这会使 FIFO 进入由 EF 为低电平表示的空状态。在 RS 上升沿之后的 t_RSF 时间内,所有数据输出(Q0 - 8)变为低电平。为使 FIFO 复位到默认状态,用户在 RS 为低电平时不得进行读写操作。在 RS 变为低电平后的 t_RSF 时间内,所有标志保证有效。

当 WEN1 信号为有效低电平、WEN2 为有效高电平且 FF 为有效高电平时,D0 - 8 引脚上的数据在 WCLK 信号的每个上升沿写入 FIFO。类似地,当 REN1 和 REN2 信号为有效低电平且 EF 为有效高电平时,FIFO 存储器中的数据将出现在 Q0 - 8 输出端。在 REN1 和 REN2 有效期间,新数据将在 RCLK 的每个上升沿出现。REN1 和 REN2 必须在 RCLK 之前建立 t_ENS 时间,以实现有效的读功能;WEN1 和 WEN2 必须在 WCLK 之前出现 t_ENS 时间,以实现有效的写功能。

提供一个输出使能(OE)引脚,当 OE 有效时,使 Q0 - 8 输出处于三态。当 OE 使能(低电平)时,输出寄存器中的数据将在 t_OE 时间后出现在 Q0 - 8 输出端。如果设备级联,OE 功能仅在被读使能的 FIFO 上输出数据。

FIFO 包含溢出电路,当 FIFO 满时禁止额外写入;还包含下溢电路,当 FIFO 空时禁止额外读取。空的 FIFO 即使在进行额外读取后,仍会在其 Q0 - 8 输出端保持最后一次有效读取的数据。

写使能 1(WEN1):如果 FIFO 配置为可编程标志,写使能 1(WEN1)是唯一的写使能控制引脚。在这种配置下,当写使能 1(WEN1)为低电平时,数据可以在每个写时钟(WCLK)的低到高转换时加载到输入寄存器和 RAM 阵列中。数据按顺序存储在 RAM 阵列中,且与任何正在进行的读操作无关。

写使能 2/加载(WEN2/LD):这是一个双用途引脚。FIFO 在复位时配置为具有可编程标志或两个写使能,以实现深度扩展。如果写使能 2/加载(WEN2/LD)在复位时设置为有效高电平(RS 上划线)

商品特性

  • 3.3V 工作电压,低功耗,易于集成到低压系统中
  • 高速、低功耗的先进先出(FIFO)存储器
  • 16K × 9(CY7C4261V)
  • 32K × 9(CY7C4271V)
  • 64K × 9(CY7C4281V)
  • 128K × 9(CY7C4291V)
  • 采用 0.35 微米 CMOS 工艺,实现最佳速度/功耗比
  • 高速 100 MHz 运行(读写周期时间为 10 ns)
  • 低功耗
  • ICC = 25 mA
  • ISB = 4 mA
  • 完全异步且可同时进行读写操作
  • 具有空、满、可编程近乎空和可编程近乎满状态标志
  • 输出使能(OE)引脚
  • 独立的读写使能引脚
  • 支持 50% 占空比的自由运行时钟输入
  • 具备宽度扩展能力
  • 32 引脚 PLCC 封装
  • 与 CY7C42X1V 系列引脚兼容,可进行密度升级
  • 与 CY7C4261/71/81/91 引脚兼容的 3.3V 解决方案

数据手册PDF