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CY7C433-65JI实物图
  • CY7C433-65JI商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CY7C433-65JI

CY7C433-65JI

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商品型号
CY7C433-65JI
商品编号
C2954679
商品封装
PLCC-32(11.43x13.97)​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录FIFO存储器
存储容量4Kx9
时钟频率(fc)12.5MHz
工作电压4.5V~5.5V
工作电流65mA
访问时间65ns
属性参数值
功能异步
总线方向单向
可编程标志支持
工作温度-40℃~+85℃
功能特性自动重传功能;输出使能;上电自动复位

商品概述

CY7C432和CY7C433分别是采用600密耳宽和300密耳宽封装的先进先出(FIFO)存储器。它们为4096字×9位宽。每个FIFO存储器的组织方式使得数据以写入的相同顺序被读取。提供了满标志和空标志以防止溢出和下溢。还提供了三个额外的引脚,以便在宽度、深度或两者上进行无限扩展。深度扩展技术将控制信号从一个设备并行导向另一个设备,从而消除了传播延迟的串行累加,使吞吐量不会降低。数据以类似的方式导向。读写操作可以是异步的;每次操作的速率可达28.5 MHz。当写信号(W上划线)为低电平时进行写操作。当读信号(R上划线)为低电平时进行读操作。当R上划线为高电平时,9个数据输出进入高阻抗状态。 在独立和宽度扩展配置中,提供了一个半满(HF)输出标志,该标志有效。在深度扩展配置中,该引脚提供扩展输出(XO)信息,用于告知下一个FIFO它将被激活。 在独立和宽度扩展配置中,重传(RT)输入为低电平会使FIFO重传数据。在重传周期中,读使能(R)和写使能(W)必须都为高电平,然后使用R来访问数据。 CY7C432和CY7C433采用先进的0.8微米N阱CMOS技术制造。输入ESD保护大于2000V,通过精心布局、保护环和衬底偏置发生器防止闩锁。

商品特性

  • 4096×9 FIFO缓冲存储器
  • 双端口RAM单元
  • 异步读写
  • 高速28.5 MHz读写,与深度/宽度无关
  • 25 ns访问时间
  • 低工作功耗
  • ICC(最大) = 142 mA(商用)
  • ICC(最大) = 155mA
  • 独立模式下的半满标志
  • 空标志和满标志
  • 宽度和深度可扩展
  • 独立模式下可重传
  • 并行级联可最小化直通延迟
  • 5V ± 10%电源
  • 300密耳DIP封装
  • 300密耳SOJ封装
  • TTL兼容
  • 三态输出
  • 引脚兼容且功能等同于IDT7204

数据手册PDF