S34ML16G202TFI200

赛普拉斯S34ML16G2 16Gb NAND闪存采用 3.3V CC 供电，具有 ×8 I/O 接口。该器件是四个S34ML04G2裸片的四裸片堆叠。详细规格请参考分立裸片数据手册：S34ML01G2_04G2。

• 密度：16Gb（4Gb × 4）
• 架构（每个4Gb器件）：
  • 输入/输出总线宽度：8位
  • 页大小：(2048 + 128) 字节；128字节备用区
  • 块大小：64页或 (128k + 8k) 字节
  • 平面大小：每个平面2048块或 (256M + 16M) 字节
  • 器件大小：每个器件2个平面或512MB
• NAND闪存接口：
  • 符合开放NAND闪存接口（ONFI）1.0标准
  • 地址、数据和命令复用
• 电源电压：3.3V器件：Vcc = 2.7V ~ 3.6V
• 页读取/编程：
  • 随机访问：30 μs（最大）
  • 顺序访问：25 ns（最小）
  • 编程时间/多平面编程时间：300 μs（典型）
• 块擦除/多平面擦除：块擦除时间：3.5 ms（典型）
• 安全性：
  • 一次性可编程（OTP）区域
  • 序列号（唯一ID）
  • 电源转换期间禁用硬件编程/擦除
• 附加功能：
  • 支持多平面编程和擦除命令
  • 支持回写编程
  • 支持多平面回写编程
  • 支持读取缓存
• 电子签名：制造商ID：01h
• 工作温度：工业级：-40°C 至 85°C
• 可靠性：
  • 100,000次编程/擦除循环（典型）（每528字节4位ECC）
  • 10年数据保留（典型）
  • 块零和块一有效，在使用ECC的情况下至少可进行1000次编程 - 擦除循环
• 封装选项：
  • 无铅和低卤素
  • 48引脚TSOP 12 × 20 × 1.2 mm
  • 63球BGA 9 × 11 × 1.2 mm