- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
S34ML01G100BHV000
S34ML01G100BHV000
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- 商品型号
- S34ML01G100BHV000
- 商品编号
- C2959082
- 商品封装
- VFBGA-63
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.622克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 1Gbit | |
| 接口类型 | - | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 块擦除时间(tBE) | - | |
| 数据保留 - TDR(年) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 待机电流 | - | |
| 擦写寿命 | 10万次 | |
| 功能特性 | 硬件写保护功能；读缓存功能；OTP区域写保护与锁定功能；ECC纠错功能；复制回写功能 | |
| ECC | 有 |
商品特性
- 密度：1 Gbit / 2 Gbit / 4 Gbit
- 架构：输入/输出总线宽度为8位/16位
- 页面大小：x8为2112（2048 + 64）字节，64字节为备用区域；x16为1056（1024 + 32）字，32字为备用区域
- 块大小：64页；x8为128k + 4k字节；x16为64k + 2k字
- 平面大小：1 Gbit / 2 Gbit每平面1024块，x8为128M + 4M字节，x16为64M + 2M字；4 Gbit每平面2048块，x8为256M + 8M字节，x16为128M + 4M字
- 器件大小：1 Gbit每器件1个平面或128 Mbyte；2 Gbit每器件2个平面或256 Mbyte；4 Gbit每器件2个平面或512 Mbyte
- 页面读取/编程：随机访问最大25μs；顺序访问最小25 ns；编程时间/多平面编程时间典型200μs
- 块擦除（S34ML01G1）：块擦除时间典型2.0 ms
- 块擦除/多平面擦除（S34ML02G1、S34ML04G1）：块擦除时间典型3.5 ms
- NAND闪存接口：符合开放NAND闪存接口（ONFI）1.0标准；地址、数据和命令复用
- 电源电压：3.3V器件，Vcc为2.7V ~ 3.6V
- 安全：一次性可编程（OTP）区域；电源转换期间硬件编程/擦除禁用
- 附加特性：2 Gb和4 Gb部件支持多平面编程和擦除命令
- S29WS512P0SBFW000
- S29WS256PABBFW000
- S29WS256P0LBFW000
- S29VS064RABBHI010
- S29PL127J80TFI090
- S29PL127J80BFI050
- S29PL127J70TFI080
- S29PL127J70BFI040
- S29PL127J70BFI000
- S29PL127J65BFW040
- S29PL127J60TFI080
- S29PL127J60TFA080
- S29PL127J60BFI040
- S29PL064J70BFW070
- S29PL064J70BFI070
- S29PL064J60BFI070
- S29PL032J70BFI070
- S29PL032J70BFA070
- S29PL032J60BFI070
- S29PL032J55BFI070
- CY8C4146AZI-S423