CYM8301BV33是一款3.3V高性能12兆位静态随机存取存储器（SRAM），其结构为512K字×24位。该模块由三个512K×8的SRAM芯片安装在多层叠层基板上组合而成，形成一个24位的SRAM。CYM8301BV33是摩托罗拉DSP5630X的理想单芯片解决方案，也是模拟器件ADSP2106XL的双芯片解决方案。每个数据字节由单独的片选信号（CE0、CE1、CE2）分别控制。CE0控制I/O0 - 7，CE1控制I/O7 - 15，CE2控制I/O16 - 23。向SRAM写入数据字节时，控制该字节的片选信号（CSx）为低电平且写使能信号（WE）为低电平。相应输入/输出引脚（I/O）上的数据随后被写入地址引脚（A0至A18）指定的存储位置。将所有（CSx）置为低电平且（WE）置为低电平，将把整个数据（I/O0 - 23）写入存储器。在写模式下，输出使能（OE）无关紧要。读取字节时，控制该字节的片选信号（CSx上划线）为低电平、写使能信号（WE）为低电平且输出使能信号（OE）为低电平时完成。在这些条件下，地址引脚指定的存储位置的内容将全部出现在指定的数据输入/输出引脚（I/O）上。将所有（CSx）置为低电平、（WE）置为低电平且输出使能（OE）为低电平，将从存储器中读取整个数据（I/O0 - 23）。当器件被取消选择（CE为高电平）、输出被禁用（OE为高电平）或在写操作期间（CE为低电平且WE为低电平），数据输入/输出引脚（I/O0 - 23）处于高阻抗状态。有关读写条件的更多详细信息，请参阅本数据手册第7页的真值表。

	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	12Mbit
	工作电压	3.135V~3.465V
	读写时间	10ns

	属性	参数值
	工作温度	0℃~+70℃
	工作电流	300mA
	待机电流	30mA
	功能特性	自动掉电功能

CYM8301BV33-10BGC

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商品特性

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