STK12C68-PF55
STK12C68-PF55
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 商品型号
- STK12C68-PF55
- 商品编号
- C2953524
- 商品封装
- DIP-28
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | nvSRAM(掉电保持) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 硬件写保护;自动存储功能;内置电荷泵;低电压自动写保护 |
商品概述
Cypress STK12C68是一种快速静态随机存取存储器(SRAM),每个存储单元都包含一个非易失性元件。嵌入式非易失性元件采用了QuantumTrap技术,造就了世界上最可靠的非易失性存储器。SRAM提供无限的读写周期,而独立的非易失性数据则存储在高度可靠的QuantumTrap单元中。在断电时,数据会自动从SRAM传输到非易失性元件(存储操作)。上电时,数据会从非易失性存储器恢复到SRAM(恢复操作)。存储和恢复操作也可以在软件控制下进行。硬件存储操作通过HSB引脚启动。
STK12C68非易失性SRAM由两个功能组件组成,它们配对在同一个物理单元中,即SRAM存储单元和非易失性QuantumTrap单元。SRAM存储单元作为标准的快速静态随机存取存储器运行。SRAM中的数据可以传输到非易失性单元(存储操作),也可以从非易失性单元传输到SRAM(恢复操作)。这种独特的架构能够并行存储和恢复所有单元。在存储和恢复操作期间,SRAM的读写操作会被禁止。STK12C68支持无限次的读写操作,类似于典型的SRAM。此外,它还提供从非易失性单元进行无限次的恢复操作,以及多达一百万次的存储操作。
商品特性
- 访问时间为25 ns、35 ns和45 ns
- 搭配外部68 μF电容,断电时自动存储数据,无需人工干预
- 存储到QuantumTrap非易失性元件的操作可由软件、硬件或断电时自动存储功能启动
- 恢复到SRAM的操作可由软件或上电启动
- 读写和恢复周期无限
- 向QuantumTrap进行100万次存储周期
- QuantumTrap数据保留100年
- 单5 V ± 10%电源供电
- 适用于商业和工业温度范围
- 提供228引脚(330密耳)SOIC、28引脚(300密耳)PDIP、28引脚(600密耳)PDIP封装
- 提供28引脚(300密耳)CDIP和28焊盘(350密耳)LCC封装
- 符合RoHS标准
- CY14E256LA-SZ45XI
- CY14B101Q2A-SXI
- CY14E256LA-SZ25XI
- CY14V101QS-SE108XI
- CY14B256I-SFXI
- CY14B101LA-SP25XI
- CY14B256LA-SP45XI
- CY14B101J2-SXI
- CY14B104N-ZS25XI
- CY14MB064Q2B-SXI
- CY14B256PA-SFXI
- CY14V101QS-SE108XQ
- CY14MB064Q2A-SXQ
- CY14B256LA-SP25XI
- CY14B064PA-SFXI
- CY14E256L-SZ35XI
- CY14V101QS-SF108XQ
- CY14E256Q5A-SXQ
- CY14E256LA-SZ45XQ
- CY14B512Q2-LHXI
- CY14B256L-SP25XI
- CY8C4013SXI-411
- SK-FM3-48PMC-USBSTICK
- SK-FM3-100PMC-MB9BF516N
- SK-FM0-V48-S6E1A1
- S99FL132KMM41
- FM25CL64B-G
- S79FL256SDSMFVG01
- S70FL01GSDPMFI011
- S70FL01GSAGBHIC13
- S70FL01GSAGBHBC10
- S6SBP401AM2SA1001
- S6SBP401AJ0SA1001
- S6SBP203A8FVA1001
- S6SBP202A1FVA1001
- S6SBP201A1AVA1001
- S6SAP413A79SA1001
- S6SAP412A78SA1001
- S6E2GM6J0AGV2000A
- S6E2C48J0AGV2000A
- S6BP203A8FST2B000
- CY8C29466-24PVXI
