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CY7C1041CV33-10BAXA引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CY7C1041CV33-10BAXA

CY7C1041CV33-10BAXA

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商品型号
CY7C1041CV33-10BAXA
商品编号
C2950259
商品封装
TFBGA-48​
包装方式
托盘
商品毛重
1.639克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量4Mbit
工作电压3V~3.6V
读写时间10ns
属性参数值
工作温度-40℃~+85℃
工作电流100mA
待机电流10mA
功能特性自动掉电功能

商品概述

CY7C1041CV33汽车级产品是一款高性能CMOS静态RAM,组织形式为262,144字×16位。要向该器件写入数据,需将芯片使能(CE)和写使能(WE)输入置为低电平。若字节低使能(BLE)为低电平,则来自I/O引脚(I/O₀至I/O₇)的数据将被写入地址引脚(A₀至A₁₇)指定的位置。若字节高使能(BHE)为低电平,则来自I/O引脚(I/O₈至I/O₁₅)的数据将被写入地址引脚(A₀至A₁₇)指定的位置。要从该器件读取数据,需将芯片使能(CE)和输出使能(OE)置为低电平,同时将写使能(WE)置为高电平。若字节低使能(BLE)为低电平,则地址引脚指定的存储位置的数据将出现在I/O₀至I/O₇上。若字节高使能(BHE)为低电平,则存储的数据将出现在I/O₈至I/O₁₅上。有关更多信息,请参阅第11页的真值表,以获取读写模式的完整描述。当器件未被选中(CE为高电平)、输出被禁用(OE为高电平)、BHE和BLE被禁用(BHE、BLE为高电平)或在写操作期间(CE为低电平且WE为低电平),输入和输出引脚(I/O₀至I/O₁₅)将处于高阻抗状态。

商品特性

  • 温度范围:汽车A类:-40 °C至85 °C;汽车E类:-40 °C至125 °C
  • 引脚和功能与CY7C1041BNV33兼容
  • 高速:tAA = 10 ns(汽车A类);tAA = 10 ns(汽车E类)
  • 低有源功耗:432 mW(最大值)
  • 未选中时自动掉电
  • TTL兼容输入和输出
  • 通过CE和OE功能轻松实现内存扩展
  • 提供无铅和含铅的44引脚400密耳SOJ、44引脚TSOP II和48球FBGA封装

数据手册PDF