CY7C1041CV33-10BAXA
CY7C1041CV33-10BAXA
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- 商品型号
- CY7C1041CV33-10BAXA
- 商品编号
- C2950259
- 商品封装
- TFBGA-48
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1.639克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 4Mbit | |
| 工作电压 | 3V~3.6V | |
| 读写时间 | 10ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 100mA | |
| 待机电流 | 10mA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY7C1041CV33汽车级产品是一款高性能CMOS静态RAM,组织形式为262,144字×16位。要向该器件写入数据,需将芯片使能(CE)和写使能(WE)输入置为低电平。若字节低使能(BLE)为低电平,则来自I/O引脚(I/O₀至I/O₇)的数据将被写入地址引脚(A₀至A₁₇)指定的位置。若字节高使能(BHE)为低电平,则来自I/O引脚(I/O₈至I/O₁₅)的数据将被写入地址引脚(A₀至A₁₇)指定的位置。要从该器件读取数据,需将芯片使能(CE)和输出使能(OE)置为低电平,同时将写使能(WE)置为高电平。若字节低使能(BLE)为低电平,则地址引脚指定的存储位置的数据将出现在I/O₀至I/O₇上。若字节高使能(BHE)为低电平,则存储的数据将出现在I/O₈至I/O₁₅上。有关更多信息,请参阅第11页的真值表,以获取读写模式的完整描述。当器件未被选中(CE为高电平)、输出被禁用(OE为高电平)、BHE和BLE被禁用(BHE、BLE为高电平)或在写操作期间(CE为低电平且WE为低电平),输入和输出引脚(I/O₀至I/O₁₅)将处于高阻抗状态。
商品特性
- 温度范围:汽车A类:-40 °C至85 °C;汽车E类:-40 °C至125 °C
- 引脚和功能与CY7C1041BNV33兼容
- 高速:tAA = 10 ns(汽车A类);tAA = 10 ns(汽车E类)
- 低有源功耗:432 mW(最大值)
- 未选中时自动掉电
- TTL兼容输入和输出
- 通过CE和OE功能轻松实现内存扩展
- 提供无铅和含铅的44引脚400密耳SOJ、44引脚TSOP II和48球FBGA封装
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