CY7C10212CV33-12BAXE

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品牌名称: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
商品型号: CY7C10212CV33-12BAXE
商品编号: C2950294
商品封装: TFBGA-48
包装方式: 托盘
商品毛重: 1.639克(g)

商品参数

商品概述

CY7C10212CV33 是一种高性能 CMOS 静态 RAM，组织为 65,536 字 × 16 位。该设备具有自动断电功能，在取消选择时显著降低功耗。写入设备通过将芯片使能 (CE) 和写使能 (WE) 输入置为低电平来实现。如果字节低使能 (BLE) 为低电平，则来自 I/O 引脚 (I/O0 至 I/O7) 的数据写入到地址引脚 (A0 至 A15) 指定的位置。如果字节高使能 (BHE) 为低电平，则来自 I/O 引脚 (I/O8 至 I/O15) 的数据写入到地址引脚 (A0 至 A15) 指定的位置。读取设备通过将芯片使能 (CE) 和输出使能 (OE) 置为低电平，同时强制写使能 (WE) 为高电平来实现。如果字节低使能 (BLE) 为低电平，则地址引脚指定的存储位置的数据出现在 I/O0 至 I/O7 上。如果字节高使能 (BHE) 为低电平，则存储器的数据出现在 I/O8 至 I/O15 上。当设备取消选择 (CE 高电平)、输出禁用 (OE 高电平)、BHE 和 BLE 禁用 (BHE, BLE 高电平) 或写入操作期间 (CE 低电平且 WE 低电平) 时，输入和输出引脚 (I/O0 至 I/O15) 处于高阻抗状态。

商品特性

温度范围：Automotive-E：-40 °C 至 125 °C
引脚和功能与 CY7C10212CV33 兼容
高速：tAA = 12 ns (Automotive-E)
CMOS 技术，实现优化速度和功耗
低活动功耗：325 mW（最大值）
取消选择时自动断电
独立控制高位和低位
提供无铅 48-ball FBGA 封装

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	1Mbit
	工作电压	2.97V~3.63V
	读写时间	12ns

	属性	参数值
	工作温度	-40℃~+125℃
	工作电流	90mA
	待机电流	10mA
	功能特性	自动掉电功能