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CY7C10212CV33-12BAXE实物图
  • CY7C10212CV33-12BAXE商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CY7C10212CV33-12BAXE

CY7C10212CV33-12BAXE

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商品型号
CY7C10212CV33-12BAXE
商品编号
C2950294
商品封装
TFBGA-48​
包装方式
托盘
商品毛重
1.639克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量1Mbit
工作电压2.97V~3.63V
读写时间12ns
属性参数值
工作温度-40℃~+125℃
工作电流90mA
待机电流10mA
功能特性自动掉电功能

商品概述

CY7C10212CV33是一款高性能CMOS静态随机存取存储器,组织形式为65,536字×16位。该器件具有自动掉电功能,在未选中时可显著降低功耗。向器件写入数据时,将芯片使能(CE)和写使能(WE)输入置为低电平。若低字节使能(BLE)为低电平,则来自I/O引脚(I/O₀至I/O₇)的数据将写入地址引脚(A₀至A₁₅)指定的位置;若高字节使能(BHE)为低电平,则来自I/O引脚(I/O₈至I/O₁₅)的数据将写入地址引脚(A₀至A₁₅)指定的位置。从器件读取数据时,将芯片使能(CE)和输出使能(OE)置为低电平,同时将写使能(WE)置为高电平。若低字节使能(BLE)为低电平,则地址引脚指定的存储单元的数据将出现在I/O₀至I/O₇上;若高字节使能(BHE)为低电平,则存储单元的数据将出现在I/O₈至I/O₁₅上。当器件未被选中(CE为高电平)、输出被禁用(OE为高电平)、BHE和BLE被禁用(BHE、BLE为高电平)或在写操作期间(CE为低电平且WE为低电平),输入和输出引脚(I/O₀至I/O₁₅)处于高阻态。

商品特性

  • 温度范围:汽车级E:-40 °C至125 °C
  • 引脚和功能与CY7C10212CV33兼容
  • 高速
  • tₐₐ = 12 ns(汽车级E)
  • 采用CMOS技术,实现最佳速度和功耗
  • 低工作功耗:325 mW(最大值)
  • 未选中时自动掉电
  • 上下位独立控制
  • 采用无铅48球FBGA封装

数据手册PDF