CY7C10212CV33-12BAXE
CY7C10212CV33-12BAXE
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- 商品型号
- CY7C10212CV33-12BAXE
- 商品编号
- C2950294
- 商品封装
- TFBGA-48
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1.639克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 1Mbit | |
| 工作电压 | 2.97V~3.63V | |
| 读写时间 | 12ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 工作电流 | 90mA | |
| 待机电流 | 10mA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY7C10212CV33是一款高性能CMOS静态随机存取存储器,组织形式为65,536字×16位。该器件具有自动掉电功能,在未选中时可显著降低功耗。向器件写入数据时,将芯片使能(CE)和写使能(WE)输入置为低电平。若低字节使能(BLE)为低电平,则来自I/O引脚(I/O₀至I/O₇)的数据将写入地址引脚(A₀至A₁₅)指定的位置;若高字节使能(BHE)为低电平,则来自I/O引脚(I/O₈至I/O₁₅)的数据将写入地址引脚(A₀至A₁₅)指定的位置。从器件读取数据时,将芯片使能(CE)和输出使能(OE)置为低电平,同时将写使能(WE)置为高电平。若低字节使能(BLE)为低电平,则地址引脚指定的存储单元的数据将出现在I/O₀至I/O₇上;若高字节使能(BHE)为低电平,则存储单元的数据将出现在I/O₈至I/O₁₅上。当器件未被选中(CE为高电平)、输出被禁用(OE为高电平)、BHE和BLE被禁用(BHE、BLE为高电平)或在写操作期间(CE为低电平且WE为低电平),输入和输出引脚(I/O₀至I/O₁₅)处于高阻态。
商品特性
- 温度范围:汽车级E:-40 °C至125 °C
- 引脚和功能与CY7C10212CV33兼容
- 高速
- tₐₐ = 12 ns(汽车级E)
- 采用CMOS技术,实现最佳速度和功耗
- 低工作功耗:325 mW(最大值)
- 未选中时自动掉电
- 上下位独立控制
- 采用无铅48球FBGA封装
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