Name: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯) S25HL512TDPNHI010
Brand: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
SKU: C2950248
Price: 1.66 CNY
Availability: OutOfStock

赛普拉斯（CYPRESS）45纳米MIRRORBIT技术，可在每个存储阵列单元中存储两位数据
扇区架构选项：
- 统一架构：地址空间由所有256KB扇区组成
- 混合配置1：地址空间由32个4KB扇区组成，这些扇区集中在顶部或底部，其余扇区均为256KB
- 混合配置2：地址空间由32个4KB扇区组成，这些扇区平均分布在顶部和底部，其余扇区均为256KB
256或512字节的页面编程缓冲区
1024字节（32×32字节）的一次性可编程（OTP）安全硅阵列
四路SPI接口：
- 支持1S - 1S - 4S、1S - 4S - 4S、1S - 4D - 4D、4S - 4S - 4S、4S - 4D - 4D协议
- 单数据率（SDR）选项最高运行速度可达83Mbps（166MHz时钟速度）
- 双数据率（DDR）选项最高运行速度可达102Mbps（102MHz时钟速度）
双SPI接口：
- 支持1S - 2S - 2S协议
- SDR选项最高运行速度可达41.5Mbps（166MHz时钟速度）
SPI接口：
- 支持1S - 1S - 1S协议
- SDR选项最高运行速度可达21Mbps（166MHz时钟速度）
功能安全特性：
- 具备业界首个符合ISO26262 ASIL B标准并为ASIL D做好准备的NOR闪存功能安全特性
- 英飞凌（Infineon）Endurance Flex架构提供高耐用性和长数据保留分区
- 数据完整性循环冗余校验（CRC）可检测存储阵列中的错误
- SafeBoot可报告设备初始化失败、检测配置损坏并提供恢复选项
- 内置纠错码（ECC）可纠正存储阵列数据中的单比特错误并检测双比特错误（SECDED）
- 扇区擦除状态指示器可指示擦除过程中的电源故障
保护特性：
- 针对存储阵列和设备配置的传统块保护
- 基于单个存储阵列扇区的高级扇区保护
自动启动（AutoBoot）功能可在通电后立即访问存储阵列
通过片选信号（CS#）（JEDEC标准）/独立复位引脚（RESET#）/DQ3复位引脚（DQ3_RESET#）进行硬件复位
串行闪存可发现参数（SFDP）描述设备功能和特性
设备标识、制造商标识和唯一标识
数据完整性：
- 256Mb设备：主阵列的最小编程 - 擦除周期为640,000次
- 512Mb设备：主阵列的最小编程 - 擦除周期为1,280,000次
- 1Gb设备：主阵列的最小编程 - 擦除周期为2,560,000次
- 所有设备：4KB扇区的最小编程 - 擦除周期为300,000次，数据保留时间至少为25年
性能总结：
- 电源电压：
  - 1.7V至2.0V（HS - T）
  - 2.7V至3.6V（HL - T）
- 等级/温度范围：
  - 工业级（-40°C至+85°C）
  - 增强工业级（-40°C至+105°C）
  - 汽车级AEC - Q100 3级（-40°C至+85°C）
  - 汽车级AEC - Q100 2级（-40°C至+105°C）
  - 汽车级AEC - Q100 1级（-40°C至+125°C）
- 封装形式：
  - 256MB和512MB：
    - 16引脚小外形集成电路（SOIC）（300mil） - SO3016
    - 24球球栅阵列（BGA）6×8mm
    - 16引脚SOIC（300mil）
    - 8触点晶圆级芯片尺寸封装（WSON）6×8mm
  - 1GB：
    - 16引脚SOIC（300mil） - SO3016
    - 24球BGA 8×8mm
    - 16引脚SOIC（300mil）

	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	SPI
	存储容量	512Mbit
	时钟频率(fc)	166MHz
	工作电压	2.7V~3.6V

	属性	参数值
	待机电流	14uA
	擦写寿命	1280000次
	数据保留 - TDR(年)	25年
	工作温度	-40℃~+85℃
	功能特性	ECC纠错；上电复位

S25HL512TDPNHI010

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商品特性

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