CY7C1352G-133AXC
CY7C1352G-133AXC
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- 商品型号
- CY7C1352G-133AXC
- 商品编号
- C2949942
- 商品封装
- LQFP-100(14x20)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 9.6605克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 4.5Mbit | |
| 工作电压 | 3.135V~3.6V | |
| 读写时间 | 4ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 工作电流 | 225mA | |
| 待机电流 | 40mA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY7C1352G 是一款 3.3 V、256K × 18 同步流水线突发静态随机存取存储器,专为支持无等待状态的无限真正背靠背读写操作而设计。该器件配备了先进的无总线延迟(NoBL)逻辑,可在每个时钟周期传输数据,实现连续的读写操作。此特性显著提高了静态随机存取存储器的吞吐量,特别是在需要频繁读写转换的系统中。所有同步输入通过由时钟上升沿控制的输入寄存器。所有数据输出通过由时钟上升沿控制的输出寄存器。时钟输入由时钟使能(CEN)信号限定,当该信号无效时,暂停操作并延长前一个时钟周期。从时钟上升沿的最大访问延迟为 4.0 ns(133-MHz 器件)。写操作由两个字节写选择(BW[A:B])和一个写使能(WE)输入控制。所有写操作均采用片内同步自定时写电路进行。三个同步芯片使能(CE1, CE2, CE3)和一个异步输出使能(OE)提供简便的存储体选择和输出三态控制。为避免总线竞争,输出驱动器在写序列的数据部分被同步三态。
商品特性
- 引脚兼容且功能等效于 ZBT 器件
- 内部自定时输出缓冲控制,无需使用输出使能
- 字节写能力
- 256K × 18 通用输入/输出架构
- 3.3 V 核心电源供应(VDD)
- 2.5 V/3.3 V 输入/输出电源供应(VDDQ)
- 快速时钟到输出时间:4.0 ns(适用于 133-MHz 器件)
- 时钟使能(CEN)引脚用于暂停操作
- 同步自定时写操作
- 异步输出使能(OE)
- 提供无铅 100 引脚薄型四方扁平封装
- 突发能力 - 线性或交错突发顺序
- ZZ 睡眠模式选项和停止时钟选项
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