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CY7C1668KV18-450BZXC引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CY7C1668KV18-450BZXC

CY7C1668KV18-450BZXC

商品型号
CY7C1668KV18-450BZXC
商品编号
C2949282
商品封装
FBGA-165(15x17)​
包装方式
托盘
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量144Mbit
工作电压1.7V~1.9V
读写时间-
属性参数值
工作温度0℃~+70℃
工作电流790mA
待机电流460mA
功能特性自动掉电功能;边界扫描(JTAG)功能;内置延迟锁定环

商品概述

CY7C1668KV18和CY7C1670KV18是配备DDR II+架构的1.8V同步流水线静态随机存取存储器。DDR II+由一个具有先进同步外围电路的静态随机存取存储器核心组成。读和写的地址在输入时钟的交替上升沿锁存。写数据在K和K的上升沿寄存。读数据在K和K的上升沿驱动。每个地址位置关联两个18位字或36位字,这些字顺序突发进入或离开器件。

商品特性

  • 144兆位密度
  • 550兆赫时钟
  • 两字突发架构,用于降低地址总线频率
  • 双倍数据率接口
  • 可用2.5时钟周期延迟
  • 两个输入时钟,用于精确的双倍数据率时序
  • 回波时钟,简化高速系统中的数据捕获
  • 数据有效引脚,用于指示输出上的有效数据
  • 同步内部自定时写入
  • 当DOFF置为高电平时,以2.5周期读延迟运行
  • 当DOFF置为低电平时,以单周期读延迟运行
  • 核心VDD = 1.8V ± 0.1V;输入/输出VDDQ = 1.4V 至 VDD
  • 支持1.5V和1.8V输入/输出电源
  • 高速收发器逻辑输入和可变驱动高速收发器逻辑输出缓冲器
  • 采用165球细间距球栅阵列封装
  • 提供无铅封装
  • 兼容JTAG 1149.1的测试访问端口
  • 锁相环,用于精确的数据放置

数据手册PDF