CY7C1668KV18-450BZXC
CY7C1668KV18-450BZXC
- 商品型号
- CY7C1668KV18-450BZXC
- 商品编号
- C2949282
- 商品封装
- FBGA-165(15x17)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 144Mbit | |
| 工作电压 | 1.7V~1.9V | |
| 读写时间 | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 工作电流 | 790mA | |
| 待机电流 | 460mA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能;边界扫描(JTAG)功能;内置延迟锁定环 |
商品概述
CY7C1668KV18和CY7C1670KV18是配备DDR II+架构的1.8V同步流水线静态随机存取存储器。DDR II+由一个具有先进同步外围电路的静态随机存取存储器核心组成。读和写的地址在输入时钟的交替上升沿锁存。写数据在K和K的上升沿寄存。读数据在K和K的上升沿驱动。每个地址位置关联两个18位字或36位字,这些字顺序突发进入或离开器件。
商品特性
- 144兆位密度
- 550兆赫时钟
- 两字突发架构,用于降低地址总线频率
- 双倍数据率接口
- 可用2.5时钟周期延迟
- 两个输入时钟,用于精确的双倍数据率时序
- 回波时钟,简化高速系统中的数据捕获
- 数据有效引脚,用于指示输出上的有效数据
- 同步内部自定时写入
- 当DOFF置为高电平时,以2.5周期读延迟运行
- 当DOFF置为低电平时,以单周期读延迟运行
- 核心VDD = 1.8V ± 0.1V;输入/输出VDDQ = 1.4V 至 VDD
- 支持1.5V和1.8V输入/输出电源
- 高速收发器逻辑输入和可变驱动高速收发器逻辑输出缓冲器
- 采用165球细间距球栅阵列封装
- 提供无铅封装
- 兼容JTAG 1149.1的测试访问端口
- 锁相环,用于精确的数据放置
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