CY7C25442KV18-300BZI

品牌名称: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
商品型号: CY7C25442KV18-300BZI
商品编号: C2949239
商品封装: FBGA-165(13x15)
包装方式: 托盘
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

CY7C25442KV18是1.8V同步流水线静态随机存取存储器（SRAM），采用QDR II+架构。与QDR II架构类似，QDR II+架构有两个独立端口：读端口和写端口，用于访问存储阵列。读端口有专用数据输出支持读操作，写端口有专用数据输入支持写操作。QDR II+架构有独立的数据输入和输出，完全消除了普通设备存在的数据总线“转向”需求。通过公共地址总线访问每个端口，读写地址在输入（K）时钟的交替上升沿锁存。QDR II+的读写端口相互独立。为了最大化数据吞吐量，读写端口都配备了双倍数据速率（DDR）接口。每个地址位置关联两个36位字（CY7C25442KV18），可顺序突发进入或离开设备。由于数据可在两个输入时钟（K和K上划线）的每个上升沿传入和传出设备，因此在简化系统设计的同时最大化了存储带宽。这些设备具有片上终端特性，支持D[x:0]、BWS[x:0]和K/K上划线输入，有助于消除外部终端电阻、降低成本、减少电路板面积并简化电路板布线。通过端口选择实现深度扩展，使每个端口能够独立运行。所有同步输入通过由K或K上划线输入时钟控制的输入寄存器，所有数据输出通过由K或K上划线输入时钟控制的输出寄存器。写操作通过片上同步自定时写电路进行。

商品特性

独立的读取和写入数据端口
支持并发事务
333 MHz时钟，提供高带宽
两字突发以减少地址总线频率
读取和写入端口均采用双倍数据率接口，在333 MHz下数据传输速率为666 MHz
提供2.0时钟周期的延迟
两个输入时钟用于精确的双倍数据率时序控制
静态随机存取存储器仅使用上升沿
回声时钟简化高速系统中的数据捕获
数据有效引脚用于指示输出数据有效
片上终端功能
支持数据、字节写选择和时钟输入
单一复用地址输入总线为读写端口锁存地址
独立的端口选择用于深度扩展
同步内部自定时写入
当DOFF引脚置为高电平时，以2.0周期读取延迟运行
当DOFF引脚置为低电平时，以1周期读取延迟运行，类似于QDR I器件
提供×36配置
完全数据一致性，提供最新数据
核心电压VDD = 1.8 V ± 0.1 V; 输入/输出电压VDDQ = 1.4 V至VDD
支持1.5 V和1.8 V电源
HSTL输入和可变驱动强度的HSTL输出缓冲器
提供165球FBGA封装
提供无铅和非无铅封装
兼容JTAG 1149.1标准的测试访问端口
锁相环用于精确的数据放置

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	72Mbit
	工作电压	1.7V~1.9V

	属性	参数值
	工作温度	-40℃~+85℃
	工作电流	910mA
	待机电流	280mA
	功能特性	自动掉电功能；边界扫描(JTAG)功能