立创商城logo
购物车0
CY7C2570XV18-633BZXC引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CY7C2570XV18-633BZXC

CY7C2570XV18-633BZXC

商品型号
CY7C2570XV18-633BZXC
商品编号
C2949169
商品封装
FBGA-165(13x15)​
包装方式
托盘
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量72Mbit
工作电压1.7V~1.9V
属性参数值
工作温度0℃~+70℃
工作电流1.23A
功能特性边界扫描(JTAG)功能

商品概述

CY7C2568XV18和CY7C2570XV18是配备DDR II+架构的1.8伏同步流水线静态随机存取存储器。DDR II+包含一个具有先进同步外围电路的静态随机存取存储器核心。读和写的地址在输入时钟的交替上升沿锁存。写数据在K和K的上升沿寄存。读数据在K和K的上升沿驱动。每个地址位置关联两个18位字或36位字,这些字顺序突发进入或离开器件。这些器件具有片上终端特性,有助于消除外部终端电阻,降低成本,减少电路板面积,并简化电路板布线。异步输入包括一个输出阻抗匹配输入。同步数据输出与两个输出回波时钟紧密匹配,消除了在系统设计中单独捕获每个静态随机存取存储器数据的需要。所有同步输入通过由K或K输入时钟控制的输入寄存器。所有数据输出通过由K或K输入时钟控制的输出寄存器。写入操作由片上同步自定时写电路执行。

商品特性

  • 72兆位密度
  • 633兆赫兹时钟
  • 双字突发以降低地址总线频率
  • 双倍数据率接口
  • 2.5时钟周期延迟可用
  • 两个输入时钟用于精确的双倍数据率时序
  • 回波时钟简化高速系统中的数据捕获
  • 数据有效引脚用于指示输出上的有效数据
  • 片上终端特性
  • 同步内部自定时写入
  • 核心VDD = 1.8 V ± 0.1 V;输入/输出VDDQ = 1.4 V 至 1.6 V
  • 支持1.5 V输入/输出电源
  • 高速收发器逻辑输入和可变驱动高速收发器逻辑输出缓冲器
  • 165球细间距球栅阵列封装可用
  • 符合联合测试行动组1149.1标准的测试访问端口
  • 锁相环用于精确的数据放置

数据手册PDF