CY7C2570XV18-633BZXC
CY7C2570XV18-633BZXC
- 商品型号
- CY7C2570XV18-633BZXC
- 商品编号
- C2949169
- 商品封装
- FBGA-165(13x15)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 72Mbit | |
| 工作电压 | 1.7V~1.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 工作电流 | 1.23A | |
| 功能特性 | 边界扫描(JTAG)功能 |
商品概述
CY7C2568XV18和CY7C2570XV18是配备DDR II+架构的1.8伏同步流水线静态随机存取存储器。DDR II+包含一个具有先进同步外围电路的静态随机存取存储器核心。读和写的地址在输入时钟的交替上升沿锁存。写数据在K和K的上升沿寄存。读数据在K和K的上升沿驱动。每个地址位置关联两个18位字或36位字,这些字顺序突发进入或离开器件。这些器件具有片上终端特性,有助于消除外部终端电阻,降低成本,减少电路板面积,并简化电路板布线。异步输入包括一个输出阻抗匹配输入。同步数据输出与两个输出回波时钟紧密匹配,消除了在系统设计中单独捕获每个静态随机存取存储器数据的需要。所有同步输入通过由K或K输入时钟控制的输入寄存器。所有数据输出通过由K或K输入时钟控制的输出寄存器。写入操作由片上同步自定时写电路执行。
商品特性
- 72兆位密度
- 633兆赫兹时钟
- 双字突发以降低地址总线频率
- 双倍数据率接口
- 2.5时钟周期延迟可用
- 两个输入时钟用于精确的双倍数据率时序
- 回波时钟简化高速系统中的数据捕获
- 数据有效引脚用于指示输出上的有效数据
- 片上终端特性
- 同步内部自定时写入
- 核心VDD = 1.8 V ± 0.1 V;输入/输出VDDQ = 1.4 V 至 1.6 V
- 支持1.5 V输入/输出电源
- 高速收发器逻辑输入和可变驱动高速收发器逻辑输出缓冲器
- 165球细间距球栅阵列封装可用
- 符合联合测试行动组1149.1标准的测试访问端口
- 锁相环用于精确的数据放置
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