FM28V202A-TG
2-Mbit F-RAM内存
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- 描述
- 是 128 × 16 的非易失性存储器,读写方式与标准 SRAM 类似。铁电随机存取存储器(F-RAM)是非易失性的,断电后数据可保留超 151 年,消除了电池备用 SRAM(BBSRAM)的可靠性问题、功能缺点和系统设计复杂性。快速写入时序和高写入耐久性使其优于其他类型的存储器。操作与其他 RAM 设备类似,可作为系统中标准 SRAM 的直接替代品
- 商品型号
- FM28V202A-TG
- 商品编号
- C2949074
- 商品封装
- TSOPII-44
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 铁电存储器(FRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 2Mbit | |
| 工作电压 | 2V~3.6V | |
| 工作电流 | 7mA | |
| 时钟频率(fc) | 33MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 待机电流 | 120uA | |
| 睡眠模式电流(Izz) | 3uA | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 擦写寿命 | 100000000000000次 | |
| 数据保留 - TDR(年) | 151年 | |
| 功能特性 | 工作状态指示 |
- CY15B108QI-20LPXI
- CY15B104QI-20LPXC
- FM28V102A-TG
- CY15V108QI-20LPXI
- CY15V104QI-20LPXC
- CY15V108QN-40LPXI
- CY15V108QN-20LPXI
- CY15V108QN-20LPXC
- CY15V108QI-20LPXC
- CY15V104QSN-108LPXI
- CY15V104QN-50LPXI
- CY15V104QN-20LPXI
- CY15V104QN-20LPXC
- CY15B108QN-20LPXC
- CY15B104QSN-108LPXI
- CY15B104QN-20LPXI
- CY15B104QN-20LPXC
- CY15B102N-ZS60XA
- CY15B101N-ZS60XA
- FM25W256-G
- FM24V10-G
- CY7C25442KV18-333BZI
- CY7C2265KV18-550BZXC
- CY7C65221-24LTXI
- CY7C65219-40LQXI
- CY7C65217A-24LTXI
- CY7C65217-24LTXI
- CY7C1470V33-167BZC
- CY62157ELL-55ZSXE
- CY62136FV30LL-45ZSXI
- CY14V101NA-BA45XI
- S29GL512T11DHB010
- CY7C65210A-24LTXI
- CY8C4147AXI-S445
- CY7C64714-128AXC
- CY7C64714-100AXC
- CY7C64713-56LFXC
- CY8C3245LTI-144
- CY7C64315-16LKXI
- CY14B104NA-ZS20XI
- CY8C4125AXQ-483
- CY8C4124AZI-443


