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BRD70N08

1个N沟道 耐压:80V 电流:70A

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商品型号
BRD70N08
商品编号
C358392
商品封装
TO-252-2​
包装方式
编带
商品毛重
0.448克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)70A
导通电阻(RDS(on))12mΩ@10V
耗散功率(Pd)130W
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)-
属性参数值
输入电容(Ciss)3.82nF
反向传输电容(Crss)125pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)890pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

TO-252 塑封封装的 N 沟道 MOS 场效应管。TO-252 塑料封装的 N 沟道 MOSFET。

商品特性

-低栅极电荷-低反向传输电容-快速开关-低栅极电荷-低反向传输电容-快速开关

应用领域

  • 适用于高功率 DC/DC 转换和功率开关
  • 这些器件非常适合用于高效开关型 DC/DC 转换器和开关模式电源。

数据手册PDF