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BR20N40

停产 1个N沟道 耐压:400V 电流:20A

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描述
TO-220 塑封封装N 沟道MOS 场效应管。
商品型号
BR20N40
商品编号
C358531
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.74克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)400V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))400mΩ@10V
耗散功率(Pd)280W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)70nC@10V
输入电容(Ciss)2.7nF
反向传输电容(Crss)40pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)400pF

商品概述

TO-220 塑封封装N 沟道MOS 场效应管。N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package.

商品特性

  • 低栅极电荷
  • 开关速度快
  • 雪崩能量高
  • dv/dt 能力强
  • Low gate charge
  • Fast switching capability
  • Avalanche energy specified
  • Improved dv/dt capability

应用领域

  • 高电压、高速功率开关应用
  • 高效率开关模电源
  • 功率因数校正
  • high voltage, high speed power switching applications
  • high efficiency switched mode power supplies
  • active power factor correction

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(50个/管,最小起订量 1 个)
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