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BRFL12N60

1个N沟道 耐压:600V 电流:12A

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描述
TO-220FL 塑封封装N 沟道MOS 场效应管。
商品型号
BRFL12N60
商品编号
C358404
商品封装
TO-220FL​
包装方式
管装
商品毛重
2.86克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on))650mΩ@10V
耗散功率(Pd)51W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)63nC@400V
输入电容(Ciss)2.29nF
反向传输电容(Crss)28pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)235pF

商品概述

TO-220FL 塑封封装N 沟道MOS 场效应管。N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package.

商品特性

  • 低栅电荷,低反馈电容,开关速度快。
  • Low gate charge, low crss, fast switching.

应用领域

  • 该器件适用于高效电源模块,主动式PFC 电路和基于半桥拓扑结构的电子节能灯。
  • These devices are well suited for high efficient switched mode power supplies, active power factor correction, electronic lamp ballast based on half bridge topology.

数据手册PDF

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(50个/管,最小起订量 1 个)
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