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S29GL256S10TFV010
128 Mb/256 Mb/512 Mb/1 Gb GL-S MIRRORBIT并行闪存，3.0 V
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- 描述
- 采用65纳米制程技术制造，具备快速页面访问时间，最快可达15 ns，随机访问时间最快可达90 ns。其写入缓冲区允许在一次操作中对最多256个字/512字节进行编程，有效编程时间比标准编程算法更快。适用于需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- S29GL256S10TFV010
- 商品编号
- C2944786
- 商品封装
- TFSOP-56-18.4mm
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.63克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | - | |
| 存储容量 | 256Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 5MHz | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | 100uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 页写入时间(Tpp) | - | |
| 块擦除时间(tBE) | - | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
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