Name: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯) S25FL512SDSBHV210
Brand: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
SKU: C2944623
Price: 1.67 CNY
Availability: OutOfStock

密度：512 Mbit（64 Mbyte）
串行外设接口（SPI）：
- SPI时钟极性和相位模式0和3
- 双倍数据速率（DDR）选项
- 扩展寻址：32位地址
- 串行命令集和引脚布局与S25FL - A、S25FL - K和S25FL - P SPI系列兼容
- 多I/O命令集和引脚布局与S25FL - P SPI系列兼容
读取命令：
- 普通、快速、双倍、四倍、快速DDR、双倍DDR、四倍DDR
- 自动启动 - 上电或复位后在预选地址自动执行普通或四倍读取命令
- 通用闪存接口（CFI）数据用于配置信息
编程（1.5 Mbyte/s）：
- 512字节页编程缓冲区
- 适用于慢时钟系统的四倍输入页编程（QPP）
擦除（0.5 ~ 0.65 Mbyte/s）：统一的256 kbyte扇区
循环耐久性：任何扇区典型的100,000次编程 - 擦除循环
数据保留：典型的20年数据保留
安全特性：
- 1024字节的一次性可编程（OTP）阵列
- 块保护：
  - 状态寄存器位，用于控制对连续扇区范围的编程或擦除保护
  - 硬件和软件控制选项
- 高级扇区保护（ASP）：
  - 由引导代码或密码控制的单个扇区保护
Spansion 65 nm MirrorBit技术，采用Eclipse架构
核心电源电压：2.7V ~ 3.6V
I/O电源电压：1.65V ~ 3.6V
封装：SO16和FBGA封装
温度范围：
- 工业级（-40°C ~ +85°C）
- 汽车座舱级（-40°C ~ +105°C）

	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	SPI
	存储容量	512Mbit
	时钟频率(fc)	104MHz
	工作电压	2.7V~3.6V

	属性	参数值
	待机电流	70uA
	擦写寿命	100000次
	数据保留 - TDR(年)	20年
	工作温度	-40℃~+105℃
	功能特性	硬件写保护；绝对写保护；写使能锁存；软件写保护；上电复位

S25FL512SDSBHV210

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商品特性

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