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S25FL512SAGMFVR10实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

S25FL512SAGMFVR10

S25FL512SAGMFVR10

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商品型号
S25FL512SAGMFVR10
商品编号
C2944634
商品封装
SOIC-16-300mil​
包装方式
托盘
商品毛重
1.397克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录NOR FLASH
接口类型SPI
存储容量512Mbit
时钟频率(fc)133MHz
工作电压2.7V~3.6V
待机电流70uA
属性参数值
擦写寿命100000次
页写入时间(Tpp)340us
数据保留 - TDR(年)20年
工作温度-40℃~+85℃
功能特性硬件写保护;绝对写保护;写使能锁存;软件写保护;上电复位

商品特性

  • 密度:512 Mbit(64 Mbyte)
  • 串行外设接口(SPI):
    • SPI时钟极性和相位模式0和3
    • 双倍数据速率(DDR)选项
    • 扩展寻址:32位地址
    • 串行命令集和引脚布局与S25FL - A、S25FL - K和S25FL - P SPI系列兼容
    • 多I/O命令集和引脚布局与S25FL - P SPI系列兼容
  • 读取命令:
    • 普通、快速、双倍、四倍、快速DDR、双倍DDR、四倍DDR
    • 自动启动 - 上电或复位后在预选地址自动执行普通或四倍读取命令
    • 通用闪存接口(CFI)数据用于配置信息
  • 编程(1.5 Mbyte/s):
    • 512字节页编程缓冲区
    • 适用于慢时钟系统的四倍输入页编程(QPP)
  • 擦除(0.5 ~ 0.65 Mbyte/s):统一的256 kbyte扇区
  • 循环耐久性:任何扇区典型的100,000次编程 - 擦除循环
  • 数据保留:典型的20年数据保留
  • 安全特性:
    • 1024字节的一次性可编程(OTP)阵列
    • 块保护:
      • 状态寄存器位,用于控制对连续扇区范围的编程或擦除保护
      • 硬件和软件控制选项
    • 高级扇区保护(ASP):
      • 由引导代码或密码控制的单个扇区保护
  • Spansion 65 nm MirrorBit技术,采用Eclipse架构
  • 核心电源电压:2.7V ~ 3.6V
  • I/O电源电压:1.65V ~ 3.6V
  • 封装:SO16和FBGA封装
  • 温度范围:
    • 工业级(-40°C ~ +85°C)
    • 汽车座舱级(-40°C ~ +105°C)

数据手册PDF