S25FS064SDSNFV030
S25FS064SDSNFV030
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- 商品型号
- S25FS064SDSNFV030
- 商品编号
- C2944609
- 商品封装
- LGA-8(5x6)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 2.43175克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 64Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 133MHz | |
| 工作电压 | 1.7V~2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 待机电流 | 25uA | |
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护;绝对写保护;写使能锁存;ECC纠错;软件写保护;上电复位 |
商品特性
- 带多输入输出的串行外设接口(SPI)
- SPI时钟极性和相位模式0和3
- 双倍数据速率(DDR)选项
- 扩展寻址:24位或32位地址选项
- 串行命令子集和引脚布局与S25 - FL1 - K、S25FL - P和S25FL - S SPI系列兼容
- 多输入输出命令子集和引脚布局与S25FL1 - K、S25FL - P和S25FL - S SPI系列兼容
- 读取:
- 命令:普通、快速、双输出、双输入输出、四输出、四输入输出、DDR四输入输出
- 模式:突发回绕、连续(XIP)、QPI(QPI)
- 串行闪存可发现参数(SFDP)和通用闪存接口(CFI),用于配置信息
- 编程:
- 256或512字节页编程缓冲区
- 编程暂停和恢复
- 自动ECC - 内部硬件纠错码生成,可纠正单比特错误
- 擦除:
- 混合扇区选项:地址空间顶部或底部有一组8个4KB扇区和1个32KB扇区,其余扇区为64KB
- 统一扇区选项:统一的64KB或256KB块,便于与更高密度和未来设备实现软件兼容
- 擦除暂停和恢复
- 擦除状态评估
- 循环耐久性:至少100,000次编程 - 擦除循环
- 数据保留:至少20年数据保留
- 安全特性:
- 1024字节的一次性可编程(OTP)阵列
- 块保护:
- 状态寄存器位,用于控制对连续扇区范围的编程或擦除保护
- 硬件和软件控制选项
- 高级扇区保护(ASP):
- 由引导代码或密码控制的单个扇区保护
- 密码控制读取访问的选项
- 技术:赛普拉斯65纳米MirrorBit技术,采用Eclipse架构
- 单电源电压,带CMOS输入输出:1.7V至2.0V
- 温度范围:
- 工业级:-40°C至+85°C
- 工业增强级:-40°C至+105°C
- 扩展级:-40°C至+125°C
- 汽车级,AEC - Q100 3级:-40°C至+85°C
- 汽车级,AEC - Q100 2级:-40°C至+105°C
- 汽车级,AEC - Q100 1级:-40°C至+125°C
- 封装(均为无铅):
- 8引脚SOIC 208密耳(SOC008)
- LGA 5×6mm(W9A008)
- BGA - 24 6×8mm,5×5球(FAB024)引脚布局
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